2极管参数及符号意义

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1、一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj—-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，错检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co—零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs—-管壳电容或封装电容Ct—总电容CTV-—电压温度系数。在测试电流卜，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化Z比CTC---电容温度系数Cvn标称电容IF—-正向直流电流（正向测试电流）。错检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波

2、中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率卜•允许通过的最大止向直流电流；测稳压二极管止向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。III---，恒定电流、维持电流。li---发光二极管起辉电流IFRM正向重复峰值电流IFSM—-正向不重复峰值电流（浪涌电流）To—-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF（ov）止向过载电流儿

3、-一光电流或稳流二极管极限电流ID暗电流IB2—单结晶体管小的基极调制电流TEM-一发射极峰值电流IEB10-一双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流1EB20---双基极单结品体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP—-正向脉冲电流TP-一峰点电流IV—-谷点电流1GT---品闸管控制极触发电流IGD-—晶闸管控制极不触发电流IGFM—-控制极正向峰值电流TR（AV）反向平均电流IR（In）-一反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在止弦半波电阻性

4、负载电路屮，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。TRM—反向峰值电流IRR—-晶闸管反向重复平均电流1DK---品闸管断态平均重复电流1RRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp反向恢复电流Tz-一稳定屯压屯流（反向测试电流）。测试反向屯参数时，给定的反向屯流Izk稳压管膝点电流10M---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能

5、承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过错检波二极管的最大工作电流IZSM—-稳压二极管浪涌电流IZM—-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF—-止向总瞬时电流iR—反向总瞬时电流ir—反向恢复电流lop—工作电流Ts—稳流二极管稳定电流f—频率n—-电容变化指数；电容比Q—优值（品质因素）5VZ—稳压管电压漂移di/dt—-通态电流临界上升率dv/dt—-通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFT

6、M—-正向峰值耗散功率PFT—-正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC—-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi输入功率PK---最大开关功率PM—-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po-一输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc一-连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM—-最大耗散功率。在给定使用条件卜，稳压二极管允许承受

7、的最大功率RE（r）-—正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量AV,正向电流相应增加△【，则AV/AI称微分电阻RBB—-双基极晶体管的基极间电阻RE—射频电阻RL—负载电阻Rs（rs）串联电阻Rth——热阻R(th)ja——结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r5-一衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc---壳温td-一延迟时间tf卜降时间tfr—正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt—门极控制极开

8、通吋间门-一结温Tjm最高结温ton开通时间toff---关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts-一存储时间tstg—温度补偿二极管的贮成温度a-—温度系数入P发光峰值波长△X—-光谱半宽度n-一单结晶体管分压比或效率vb---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1基极间电压VBE10发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM—最大正向压降(正向峰值电压)VF正向压降(正向直流电压)AVF—-正向压降差VDRM断态重复峰值电压VGT—门极触发电压VGD—门极不触发电压VGF