半导体二极管参数符号及其意义.doc

半导体二极管参数符号及其意义.doc

ID:49495377

大小:95.00 KB

页数:17页

时间:2020-03-02

半导体二极管参数符号及其意义.doc_第1页
半导体二极管参数符号及其意义.doc_第2页
半导体二极管参数符号及其意义.doc_第3页
半导体二极管参数符号及其意义.doc_第4页
半导体二极管参数符号及其意义.doc_第5页
资源描述:

《半导体二极管参数符号及其意义.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、半导体二极管参数符号及其意义一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj-—结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,错检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏丿尺电容Cjo零偏斥结电容CjoCjn---结电容变化Cs—-管壳电容或封装电容Ct总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-—电容温度系数Cvn标称电容TF---正向直流电流C正向测试电流)。错检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波屮允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅

2、开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流TFM(TM)-—正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ti—-发光二极管起辉电流TFRM一-正向重复峰值电流TFSM-—正向不重复峰值电流(浪涌电流)To-—整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流TI厂一光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极

3、峰值电流IEB10-一双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20一-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM—-最大输出平均电流IFMP-一正向脉冲电流IP-一峰点电流IV-一谷点电流IGT晶闸管控制极触发电流IGD-—晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)-一反向平均电流IR(In)-一反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路屮,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反

4、向工作电压下的漏电流。IRM-一反向峰值电流IRR-—晶闸管反向重复平均电流IDR—-晶闸管断态平均重复电流IRRM—-反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp—反向恢复电流贬-一稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流Izk-—稳压管膝点电流IOM-一最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过错检波二极管的最大工作电流IZSM一-稳压二极管浪涌电流IZM-—最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流1F---正向总瞬吋电流iR—

5、反向总瞬时电流ir反向恢复电流lop—T作电流Is-一稳流二极管稳定电流f—频率n—-电容变化指数;电容比Q—优值(品质因素)6vz—稳压管电压漂移didt-一通态电流临界上升率dvdt---通态电压临界上升率PB承受脉冲烧毁功率PFT(AV)-一正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT-一正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率PG---门极平均功率PGM门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi—输入功率PK最大开关功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-一最大漏过脉冲功率PMS---最大承受

6、脉冲功率Po输出功率PR---反向浪涌功率Ptot总耗散功率Pomax最大输出功率Psc-一连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM—-最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量AV,正向电流相应增加△【,则AVAI称微分电阻RBB-一双基极晶体管的基极间电阻RE—射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja—一结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r6衰减电阻r(th

7、)瞬态电阻Ta一-环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt-一门极控制极开通时间Tj一-结温Tjm最高结温ton开通吋间toff关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts存储时间tstg一-温度补偿二极管的贮成温度a—-温度系数入P—发光峰值波长△X—-光谱半宽度n---单结晶体管分压比或效率VB一-反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VB2B1基极间电压VBE10发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM一-最大正向压降(正向峰值电压)VF一-正向压降(正向直流电压)AVF-一正向压降差VDRM断态垂复峰值

8、电丿土VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM---门极正向

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。