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时间:2020-03-08
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1、双极型晶体管参数符号及其意义Cc…集电极电容Ccb…集电极与基极间电容Cce…发射极接地输出电容Ci…输入电容Cib…共基极输入电容Cie…共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo…共发射极开路输入电容Cn■-中和电容(外电路参数)Co…输出电容Cob…共基极输出电容。在基极电路屮,集电极与基极间输出电容Coe…共发射极输出电容Coeo…共发射极开路输岀电容Cre…共发射极反馈电容Cic…集电结势垒电容CL…负载电容(外电路参数)Cp…并联电容(外电路参数)BVcbo…发射极开路,集电极与基极间击穿电床BVceo…基极开路,CE结击穿电压BVeb
2、o-集电极开路EB结击穿电压BVces…基极与发対极短路CE结击穿电床BVcer…基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压D…占空比fT…特征频率fmax-fi高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE…共发射极静态电流放大系数hlE…共发射极静态输入阻抗hOE…共发射极静态输出电导hRE…共发射极静态电圧反馈系数hie…共发射极小信号短路输入阻抗hre-rt发射极小信号开路电圧反馈系数hfe…共发射极小信号短路电压放大系数hoe…共发射极小信号开路输出导纳IB…基极立流电流或交流电流的平均值lc…集电极育•流电流或交流电流的平均值IE…发射极直流电流
3、或交流电流的平均值Icbo…基极接地,发射极対地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo…发射极接地,基极対地开路,在规定的反向电圧VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流lebo…基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流leer…基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices…发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icex…发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规
4、定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM…集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM…在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的]1流电流的最大值,或交流电流的最大平均值ICMP--集电极最大允许脉冲电流ISB…二次击穿电流IAGC…止向自动控制电流Pc…集电极耗散功率PCM…集电极最大允许耗散功率Pi…输入功率Po…输出功率Pose…振荡功率Pn…噪声功率Ptot…总耗散功率ESB…二次击穿能量rbb'…基区扩展电阻(基区本征电阻)rbb'Cc…基极■集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie…发射极接地,交流输
5、出短路时的输入电阻roe…发射极接地,在规定VCE、lc或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE…外接发射极电阻(外电路参数)RB…外接基极电阻(外电路参数)Rc…外接集电极电阻(外电路参数)RBE…外接基极■发射极间电阻(外电路参数)RL…负载电阻(外电路参数)RG-信号源内阻Rth—热阻T3■…环境温度Tc…管壳温度Ts…结温Tjm…报大允许结温Tstg…贮存温度td—延迟时间tr…上升时间ts…存贮时I可tf…下降时间ton—开通时间toff-关断时间VCB…集电极■基极(青流)电压VCE…集电极■发射极(直流)电压VBE…基极发射极(冇流)
6、电压VCBO…基极接地,发射极対地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐斥VEBO…基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO…发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的瑕高耐床VCER…发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES…发射极接地,基极対地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX…发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏床,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐床Vp…穿通电压。VSB…二次击穿电压VBB—基极(直流)电源电压(外电路参数)Vcc
7、…集电极(有流)电源电压(外电路参数)VEE…发射极(直流)电源电压(外电路参数)VCE(sat)-发射极接地,规定lc、IB条件下的集电极■发射极间饱和压降VBE(sat)-发射极接地,规定lc、IB条件下,基极■发射极饱和压降(前向压降)VAGC…止向自动增益控制电斥Vn(p-p)-输入端等效噪声电床峰值Vn…噪声电压Cj…结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,错检波二极管的总电容Cjv…偏压结电容Co…冬偏压电容Cjo…零偏压结电容Cjo/Cjn…结电容变化Cs…管克电容或封装电容Ct…总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相対变化
8、与环境温度的绝对变化之比CTC…电容温
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