AIXTRON和VEECO的MOCVD型号及产能总结

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1、AIXTRON和VEECO的MOCVD型号及产能总结GaN基材料德国艾思强（AIXTRON）公司（1999年英国ThomasSwan公司已被其收购）型号一览容量典型温度典型应用月产能（24hr/day）单价行星式反应器G324x2"1200°-1300°C氮化镓(GaN)基材料G4HT(AIX2800G4HT2007年推出）42x2"1200°-1300°C氮化镓(GaN)基材料G5HT56x2"1200°-1300°C氮化镓(GaN)基材料3500-4000片近耦合喷淋头CRIUS31x2"1200°-1300°氮化镓(GaN)基材料CRIUSII55x2"120

2、0°-1300°氮化镓(GaN)基材料4200-4700片CRIUSII-L69x2"1200°-1300°氮化镓(GaN)基材料美国维易科精密仪器（VeecoInstruments）公司型号一览容量典型应用月产能（24hr/day）特点K465iHPGaNMOCVD系统HB-LED单反应腔MOCVD设备的高性能版与K465i相比片內波长均匀性提高20%而使用成本更低。K465i(2007年推出，目前的主打机型，）2"片45片一炉GaNMOCVD系统最高的生产效率，并在同类产品中具有最高的良品率K4652"片45片一炉GaNMOCVD系统GaN基蓝光、绿光LED和蓝

3、光激光器生产领域，具有业界最高的MOCVD产能E475As/PMOCVD系统HB-LED、聚光太阳能电池、激光二极管K475As/PMOCVD系统ROYLED（红色、橙色、黄色发光二极管）激光二极管CPV（聚光光伏）太阳能电池MaxBrightMHP多反应腔系统MaxBrightM多反应腔系统CRIUSII-XL外观图TurboDiscK465iVEECOK465iMOCVD系统模组设计图AIX2800G4HTReactor42x2“AIX2800G4-R60×2“