DWDM光学镀膜介绍与解析

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1、DWDM光學鍍膜介紹與解析前言隨著行動電話與網際網路等通信量急速增加，連接幹線及都會之區間的光纖傳輸容量亦隨之暴漲。增加通信容量有兩種方法，一種是提高變頻速度的多重時間光增幅器廣波域技術提升相對分割法（TDM,TimeDivisionMultiplexing），另外一種是以單一光纖傳輸不同波長光信號之多波長方式（WDM,WavelenghtDivisionMultiplexing）。由於地也帶動著高速化與高密度波長多重化演進，換言之它所使用的Filter種類與波長亦隨之多樣化。Filter鍍膜基於耐環

2、境、溫度、穩定性等系統考量，通常採用離子（Ion）/等離子鎗（PlasmaGun）與濺鍍（Suptter）或電子束（EB，ElectricBeam）等方式。然而鍍膜時有關膜厚監控（Monitor）、重複再現性、良率改善、自動化等諸多問題仍有待鍍膜廠商突破。鍍膜方法電子束（EB）蒸鍍方式容易形成柱狀膜結構，為獲高充填率（PackingDensity）的膜層，通常會採用Ion照射基板方式，經Ion照射後由於離子（Ion）的能量使基板上形成活性核，同時促進核成長及核凝縮（Coalescence），進而獲得高

3、充填率的膜層。電子束（EB）蒸鍍源與離子/等離子鎗（PlasmaGun）的組合又可分為離子輔助（IAD,IonAssistedDeposition）及離子鍍（IP,IonPlating），這兩種方法常用於有耐環境需求的通信元件鍍膜工程。Leybold公司的APS（Advanced PlasmaSystem）為典型代表。IAD的電子束蒸鍍源與Ion產生器可個別獨立控制，因此IAD方式較易找出最合適的鍍膜條件。基於EB鎗需長時間操作，因此有些廠商修改Filament的尺寸與外形，用來降低電子束270°偏向

4、時所產生的離子衝擊對Filament造成的耗損。如此一來由高周波放電所構成的離子鎗，在DC放電時無法避免的FilamentSuptter不純物產生會完全消失，同時離子鎗可作長時間運轉。這種方式具有鍍膜時Filer吸收損失較小、膜應力比其它等離子製程更小等優點。濺鍍（Suptter）方式可獲得較高的膜層充填率，鍍膜速度則比上述方式慢，因此光通信用多層膜Filter製程很少採用。DWDM光學鍍膜介紹與解析前言隨著行動電話與網際網路等通信量急速增加，連接幹線及都會之區間的光纖傳輸容量亦隨之暴漲。增加通信容量

5、有兩種方法，一種是提高變頻速度的多重時間光增幅器廣波域技術提升相對分割法（TDM,TimeDivisionMultiplexing），另外一種是以單一光纖傳輸不同波長光信號之多波長方式（WDM,WavelenghtDivisionMultiplexing）。由於地也帶動著高速化與高密度波長多重化演進，換言之它所使用的Filter種類與波長亦隨之多樣化。Filter鍍膜基於耐環境、溫度、穩定性等系統考量，通常採用離子（Ion）/等離子鎗（PlasmaGun）與濺鍍（Suptter）或電子束（EB，Ele

6、ctricBeam）等方式。然而鍍膜時有關膜厚監控（Monitor）、重複再現性、良率改善、自動化等諸多問題仍有待鍍膜廠商突破。鍍膜方法電子束（EB）蒸鍍方式容易形成柱狀膜結構，為獲高充填率（PackingDensity）的膜層，通常會採用Ion照射基板方式，經Ion照射後由於離子（Ion）的能量使基板上形成活性核，同時促進核成長及核凝縮（Coalescence），進而獲得高充填率的膜層。電子束（EB）蒸鍍源與離子/等離子鎗（PlasmaGun）的組合又可分為離子輔助（IAD,IonAssistedD

7、eposition）及離子鍍（IP,IonPlating），這兩種方法常用於有耐環境需求的通信元件鍍膜工程。Leybold公司的APS（Advanced PlasmaSystem）為典型代表。IAD的電子束蒸鍍源與Ion產生器可個別獨立控制，因此IAD方式較易找出最合適的鍍膜條件。基於EB鎗需長時間操作，因此有些廠商修改Filament的尺寸與外形，用來降低電子束270°偏向時所產生的離子衝擊對Filament造成的耗損。如此一來由高周波放電所構成的離子鎗，在DC放電時無法避免的FilamentSup

8、tter不純物產生會完全消失，同時離子鎗可作長時間運轉。這種方式具有鍍膜時Filer吸收損失較小、膜應力比其它等離子製程更小等優點。濺鍍（Suptter）方式可獲得較高的膜層充填率，鍍膜速度則比上述方式慢，因此光通信用多層膜Filter製程很少採用。OCLI及加拿大的NRCC是將金屬靶材（Target）先作濺鍍，再經過氧化等離子氧化過程，如此便可進行製作窄域Filter及增益等化Filter。雖然具備離子輔助（IAD,IonAssistedDeposit