第一章 数字逻辑电路基础知识

《第一章 数字逻辑电路基础知识》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第二部分　微机原理主讲教师：喻红第5章存储器1“扩展”的概念；半导体存储器的类型及适用场合；单片机系统中常用的存储芯片；单片机系统中存储器的扩展方法。主要内容25.1MCS-51单片机最小应用系统3单片机的扩展MCU存储空间程序存储器数据存储器人机交互键盘显示器输入输出数字I/O接口A/DD/A通信接口地址锁存器地址译码器数据总线地址总线控制总线4三总线的形成5半导体存储器动态RAM(DROM)：电容只读存储器ROM随机存取存储器RAM静态RAM(SRAM)：双稳态触发器非易失性RAM(NVRAM)：SRAM+EEPROM掩膜ROM：厂家一次性编程可编程PROM(PROM)：用户一

2、次性编程可擦除PROM(EPROM)：紫外光整体擦除电可擦除EPROM(EEPROM)：电脉冲单元/页面擦除闪存Flash-ROM：电脉冲单元/页面擦除5.2存储器的类型67数据存储器的扩展数据存储器用于存放现场采集的原始数据及运算的中间结果等。在运行过程中可随时对任意存储单元进行读、写操作。通常用静态RAM作为外部数据存储器,必要时也可以用其它存储器。8总线带负载能力适时增加缓冲器或总线驱动器速度匹配根据MCU的速度选配存贮器地址分配与片选控制合理利用资源、兼顾硬软需求控制信号读/写……存储器扩展注意事项9常用的静态RAM10存储器的容量：存储矩阵；N=2n地址译码：行地址译码、

3、列地址译码存储器的结构11外部数据存储器扩展74LS27374LS373Intel828212地址锁存器13§5.2.3地址锁存器8D锁存器，三态驱动输出8D锁存器，上跳沿触发8D触发器，共使能，8位锁存，输入/输出同相地址扩展要点合理选用芯片P0.0-P0.7D输入Q输出A0-A7分清/CLR与/OC及/OEALEG或STB/ALECLK14编址及译码8051采用存储器和I/O口统一编址方式片内地址线单片机可以直接和所选存储芯片地址对应相连的那部分地址线。片选地址线（为什么要片选）除片内地址线以外的其余地址线。注意一般用地址总线的高几位作为片选地址线，以使相应外设得到连续

4、的地址分布。15线选方式片选地址线直接接到芯片的片选端全译码方式所有片选地址线全部参加译码部分译码方式片选地址线部分参加译码，剩下部分悬空存储器地址的译码方法16两种常用译码器3-8译码器双2-4译码器17与扩展有关的芯片—74LS138G2BG2AG118与扩展有关的芯片—74LS13919扩展2k字节RAM8031+611620扩展64k字节RAM8031+(62128×4)21扩展的外部程序存储器的特点：存储数据非易失；存储数据在使用时不可更改。所以需采用只读存储器，多采用EPROM或E2PROM。5.3程序存储器的扩展225.3.1EPROM引脚23五种工作方式（1）读

5、方式：程序代码写入EPROM之后主要工作方式。进入这种方式必须保证CE为低，OE为低，才可以将指定的地址单元的内容读出到数据线上。（2）维持方式：将CE脚升为高电平，这时EPROM输出为高阻抗，不占用数据线。（3）编程方式（又称写入方式）：将Vpp加至+25V，CE、OE都加高电平，就能将数据线上的信息写入到指定的地址单元。5.3.2EPROM的工作方式24（4）编程校验方式：保持Vpp为+25V，其他按读出方式读出，以便校验写入的内容正确与否。（5）编程禁止方式：保持Vpp为+25V，令CE脚为低电平，则EPROM的输出脚为高阻抗。25§5.3.3外部程序存储器扩展2764(A)

6、存储空间:0000H~1FFFH2764(A)存储空间:8000H~9FFFH262728本章结束29