半导体器件习题一

半导体器件习题一

ID:40246432

大小:335.00 KB

页数:23页

时间:2019-07-29

半导体器件习题一_第1页
半导体器件习题一_第2页
半导体器件习题一_第3页
半导体器件习题一_第4页
半导体器件习题一_第5页
资源描述:

《半导体器件习题一》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、习题一1,试求图示电路输出电流温度系数的表达式,然后选定R1,R2和R3的阻值,并使输出电流I0为1mA,具有零温度系数。假定齐纳击穿电压为6.2V,晶体管正向基-射通态电压0.6V,Ix等于50μA,晶体管基极电流均可忽略不计,集成扩散电阻相对温度系数为+2000ppm/˚C,齐纳击穿电压的绝对温度系数为+2.5mV/˚C,晶体管正向基-射通态电压的绝对温度系数为-2.0mV/˚C。解:据图写出KVL即令式中则整理后得此即输出电流的表示式。两边同时对T求导,可得输出电流的温度系数表示式:代入已知数值,并令输出电流的温度系数为零,两边同时对T求导,可得输出电流的温度系数表示式:代入已知数值

2、,并令输出电流的温度系数为零,ppm:partspermillion,百万分之一10-6解得1+n=3.09,n=2.09,因为Ix等于50μA,VBE=0.6V,故又最后可得2,设二极管的掺杂浓度NA=8×1015atoms/cm3,ND=1017atoms/cm3。PN结的面积为2×10-5cm2,试计算反向偏压VR=-5V时的结电容。若临界电场强度€=4×105V/cm,求二极管的击穿电压。解:根据可得根据可得根据可得也可以利用根据可得3,变容二极管在振荡回路中作电调谐元件时,希望谐振频率和电压呈线性关系,证明其特性指数γ=2。解:变容二极管的电容为变容二极管在振荡回路中作电调谐元件

3、时,回路振荡频率为希望谐振频率和电压呈线性关系,即须有解得m=-3/2特性指数γ=1/(m+2)=2

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。