半导体物理与器件习题

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1、第一章固体晶格结构1.如图是金刚石结构晶胞,若a是其晶格常数,则其原子密度是。2.所有晶体都有的一类缺陷是:原子的热振动,另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。3.半导体的电阻率为10-3~109Ωcm。4.什么是晶体?晶体主要分几类?5.什么是掺杂?常用的掺杂方法有哪些?答:为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。常用的掺杂方法有扩散和离子注入。6.什么是替位杂质?什么是填隙杂质?7.什么是晶格?什么是原胞、晶胞?第二章量子力学初步1.量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原

2、理。2.什么是概率密度函数?3.描述原子中的电子的四个量子数是:、、、。第三章固体量子理论初步1.能带的基本概念n能带(energyband)包括允带和禁带。n允带(allowedband):允许电子能量存在的能量范围。n禁带(forbiddenband):不允许电子存在的能量范围。n允带又分为空带、满带、导带、价带。n空带(emptyband):不被电子占据的允带。n满带(filledband):允带中的能量状态(能级)均被电子占据。导带:有电子能够参与导电的能带,但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。价带:由价

3、电子形成的能带,但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。2.什么是漂移电流?漂移电流:漂移是指电子在电场的作用下的定向运动,电子的定向运动所产生的电流。3.什么是电子的有效质量?晶格中运动的电子,在外力和内力作用下有:F总=F外+F内=ma,     m是粒子静止的质量。F外=m*na,       m*n称为电子的有效质量。4.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶电子,其有效质量为负。5.在室温T=300K,Si的禁带宽度:Eg=1.12eVGe的禁带宽度:Eg=0.67eVGaAs的禁带宽度:Eg=1.4

4、3eVEg具有负温度系数,即T越大,Eg越小;Eg反应了,在相同温度下,Eg越大,电子跃迁到导带的能力越弱。6.在热平衡状态下,晶体中的电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定的,电子遵循费米统计律,电子的费米分布函数是:费米能级EF和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量有关。处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。因此,在温度不很高时,能量大于费米能级的量子态基本没有被电子占据,而能量小于费米能级的量子态基本上为电子所占据;而电子占据费米能级的几率在各种温度下总是1/2.费米能级标志了电子填充能级的水平,比EF高的量子态

5、,基本为空,而比EF底的量子态基本上全被电子所占满.这样费米能级EF就成为量子态是否被电子占据的分界线:1)能量高于费米能级的量子态基本是空的;2)能量低于费米能级的量子态基本是满的;73)能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50%。4)费米能级越高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子.7.什么是非简并半导体?什么是简并半导体?通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体;而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半导体。8.什么是空穴,空穴是怎样形成的?当一个价电子跃入导带后,就会留下一个带正电的“空状态”;价

6、电子在空状态中的移动等价为那些带正电的空状态的自身运动;带正电的空状态移动可以看成一个正电荷在价带中运动;这种可以形成电流的正电荷载流子———空穴。9.什么是直接带隙半导体?什么是间接带隙半导体?10.锗的晶格结构和能带结构分别是(C)。A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型11.在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3,磷为1015cm-3,则该半导体为(B)半导体。A.本征B.n型C.p型D.不确定12.当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为(B)

7、。A.变化量B.常数C.受主杂质浓度D.施主杂质类型13.在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得(C)靠近中间能级Ei。A.EcB.EvC.EFD.Ec-EF第四章平衡半导体(本章重点学习本征半导本、费米能级、载流子的分布等相半概念结论。)1.什么是本征半导体?答:征半导体是指纯净的没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。2.本征半导体是指(A)的半导体。A.不含杂质和晶格缺陷B.电阻率最高C.电子密度和空穴密度相等D.电子密度与本征载流子密度相等3.热平衡状态下,非简并半导体的导带的电子浓度是4.热平衡状态

8、下,非简并半导体的价带的空穴浓度是5.什么叫本征激发?其特点是什么?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(≥Eg)被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。本征激发的特点:成对的产生导带电子和价带空穴。本征激发结果是在半导体中出现

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