ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍

ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍

ID:40157263

大小:1.81 MB

页数:23页

时间:2019-07-23

ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍_第1页
ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍_第2页
ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍_第3页
ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍_第4页
ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍_第5页
资源描述:

《ROHM SiC 碳化硅 功率半导体介绍》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、SiC功率半导体介绍Confidentialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReserved2作为功率半导体SiC的魅力,优点与其他材料的对比半导体材料SiSiCGaN钻石能带隙(eV)1.123.263.425.47电子移动度(cm2/Vs)1350100015002000绝缘击穿电场(MV/cm)0.32.838物性数据饱和漂移速度(cm/s)1.0x1072.2x1072.4x1072.5x107热传导率(W/cmK)1.54.91.320直接迁移or间接迁移间接间接直接间接Johnson的性能指数14205804400性能指

2、数Baliga的性能指数147085013000P型价电子控制○○△○制作技术N型价电子控制○○○×热酸化○○××GaN的物性数据好(特别适合光学用途),作为功率器件用途时,器件的制作技术难点多,综合比较不如SiC。钻石是终极半导体,有着凌驾SiC和GaN的出色的物性,不过,制作技术过程中有很多问题,现在暂时不考虑实用化。Confidentialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedR-TR-100707-JJ3特性与优势反向恢复时间小,Rds(on)可以超高速开关,大大提高产极小品效率,减小散热设备体积可以实现设备小型化

3、,(如电高频特性好动汽车充电器)可在高压下稳定工作(高速列耐高压车,电力等)可在高温环境下稳定使用(电温度特性好动汽车等)Confidentialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedR-TR-100707-JJ【参考】PFC电路Confidential4・无PFC电电流路电压Main电路:SW电源电流电压+IC因为AC(商用)直接影响Main电路(SW电源)的开关,所以会发生高次谐波和电流顶峰的问题。电流电压・有PFC电路PFC电路:升压+直流化Main电路:SW电源电流电压+ICICMain电路(SW电源)输入直流。从

4、AC(商用),电压/电流被整流后输入。Confidentialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedR-TR-100707-JJPFC电路SiC-SBD的优点Confidential5・Si-FRDvsSiC-SBD电流电压PFC电路:升压+直流化Main电路:SW电源电流电压+ICICSi-FRDSiC-SBD20010002001000Di電流VDi電流160Di電圧800160Di電圧800120600120600電圧[V]電圧[V]8040080400I损失電流[A]40200電流[A]402000000-40-2

5、00-40-200-80-400-80-40001002003004000100200300400時間[nsec]時間[nsec]顺⇒逆切换时的过渡电流大幅消减恢复损失1/10!SiC-SBD的使用可以使PFC电路高速化。⇒使扼流线圈小型化。Confidentialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedR-TR-100707-JJPFC电路SiC-SBD的优点(EMI篇)Confidential6・Si-FRDvsSiC-SBDPFC电路:升压+直流Main电路:SW电源化电流电压+ICICSi-FRDSiC-SBD200

6、1000这个部分的di/dt与EMI关系。2001000Di電流VDi電流160Di電圧800电压EMI=L×di/dt160Di電圧800120600120600電圧[V]顺⇒逆切换时的过渡电流大幅消减80400電圧[V]80400I损失恢复损失1/10!電流[A]40200電流[A]402000000-40-200-40-200逆回复时间因为trr变小-80-400-80-40001002003004000100200300400电压EMI=L×di/dt也变小。時間[nsec]時間[nsec]使用SiC-SBD可使PFC电路的EMI变小。Conf

7、identialc2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedR-TR-100707-JJSiCSBD具备优良的高频特性7转换器的高频运作10090(200kHz驱动)80SiC实现电抗器的小型化7060现有的Si器件在10kHz时需要很大的电抗器,(%)50SiC器件可以高频驱动,实现电抗器的小型化Si效率403020SiC在高频下也工作1000100200300400120mm210mm频率(kHz)使用SiC功率半导体重量0.72kg50mm使用Si功率半导体时:重量21Kg40mmConfidentialc2010ROHM

8、Co.,Ltd.AllRightsReservedPFC电路SiC-SBD的优点Confide

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。