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时间:2020-07-26
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1、无机半导体材料碳化硅(SiC)一、概论;二、SiC材料的研究进展;三、SiC的晶体结构、特性;四、SiC的晶体的应用前景;五、SiC薄膜的制备方法:(1)物理气象沉积法;(2)化学气象沉积法.六、Q&A.目录碳化硅被誉为下一代半导体材料,因为其具有众多优异的物理化学特性,被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。SiC由Si原子和C原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC
2、。21世纪以来以Si为基本材料的微电子机械系统(MEMS)已有长足的发展,随着MEMS应用领域的不断扩展,Si材料本身的性能局限性制约了Si基一、概论MEMS在高温、高频、强辐射及化学腐蚀等极端条件下的应用。因此寻找Si的新型替代材料正日益受到重视。在众多半导体材料中,SiC的机械强度、热学性能、抗腐蚀性、耐磨性等方面具有明显的优势,且与IC工艺兼容,故而在极端条件的MEMS应用中,成为Si的首选替代材料。国际上,SiC的发展至今经历了3个研究时期:第一是采用升华法制备SiC单晶来开发各种器件的时期;第二是SiC的外延生长等基础研究时期;第三是接近于相关领
3、域应用要求的当前研究开发时期。SiC晶体的获得最早是用Acheson工艺将石英砂与C混合放入管式炉中2600℃反应生成,这种方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年,Lely用无籽晶升华法生长出了针状3C-SiC孪晶,由此奠定了SiC的发展基础。二、SiC材料的研究进展20世纪80年代初Tairov等采用改进的升华工艺生长出SiC晶体,SiC作为一种实用半导体开始引起人们的研究兴趣,国际上一些先进国家和研究机构都投入巨资进行SiC研究。20世纪90年代初,CreeResearchInc用改进的Lely法生长6H-SiC晶片并实现商品化,并于1994年
4、制备出4H-SiC晶片。这一突破性进展立即掀起了SiC晶体及相关技术研究的热潮。目前实现商业化的SiC晶片只有4H-SiC和6H-SiC型,且均采用PVD技术,以美国CreeResearchInc为代表。采用此法已逐步提高SiC晶体的质量和直径达7.5cm,目前晶圆直径已超过10cm,最大有用面积达到40mm2,微导管密度已下降到小于0.1/cm2。现今就SiC单晶生长来讲,美国处于领先地位,俄罗斯、日本和欧盟(以瑞典和德国为首)的一些公司或科研机构也在生产SiC晶片,并且已经实现商品化。SiC作为第三代半导体材料的杰出代表,由于其特有的物理化学特性成为制
5、作高频、大功率、高温器件的理想材料。随着SiC体材料的生长和外延技术的成熟,各种SiC器件将会相继出现。目前,SiC器件的研究主要以分立器件为主,仍处于以开发为主、生产为辅的阶段。SiC的基本结构单元是Si-C四面体,属于密堆积结构。由单向堆积方式的不同产生各种不同的晶型,已经发现的同质多型体就有250多种。密堆积有3种不同的位置,记为A,B,C。依赖于堆积顺序,Si-C键表现为立方闪锌矿或六方纤锌矿结构。如堆积顺序为ABCABC,则得到立方闪锌矿结构,记作3c-SiC或p-SiC(c=cubic)。若堆积顺序为ABAB,则得到纯六方结构,记为2H-SiC
6、。其它多型体为以上两种堆积方式的混合。两种最常见的六方晶型是4H和6H。其堆积方式分别为ABCB’ABCB和ABCACB’ABCACB。三、SiC的晶体结构、特性图3-13C-SiC立方闪锌矿结构图3-22H-SiC六方纤锌矿结构图3-3不同多型碳化硅在(1120)面上的堆叠序列不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格,从而获得性能极佳的器件.其中6H-SiC结构最为稳定,适用于制造光电子器件:p-SiC比6H-SiC活泼,其电子迁移率最高,饱和电子漂移速度最快,击
7、穿电场最强,较适宜于制造高温、大功率、高频器件,及其它薄膜材料(如GaN(氮化镓)、金刚石等)的衬底和X射线的掩膜等。而且,β-SiC薄膜能在同属立方晶系的Si衬底上生长,而Si衬底由于其面积大、质量高、价格低,可与Si的平面工艺相兼容,所以后续PECVD制备的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜。由于SiC具有上述众多优异的物理化学性质,不仅能够作为一种良好的高温结构材料,也是一种理想的高温半导体材料。近20年,伴随薄膜制备技术的高速发展,SiC薄膜已经被广泛应用于保护涂层、光致发光、场效应晶体管、薄膜发光二极管以及非晶Si太阳能电池的窗口材料等。另外,作为结
8、构材料的SiC薄膜还被认为是核聚变堆中最佳的防护材料,在不锈钢基体
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