TLP250中文资料-datasheet

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1、TLP250(INV)东芝光电耦合器砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV)2002-06-276TLP250(INV)晶体反相器栅极驱动IGBT调节器大功率MOSFET栅极驱动东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器..本芯片是8脚DIP封装TLP250(INV)适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管•输入阈值电流:IF=5mA(最大)•电源电流(ICC):11mA(最大)•电源电压(VCC):10~35V•输出电流(IO):±2.0A(最大)•开关转换时间(tpLH/tpH

2、L):0.5µs(最大)•隔离电压:2500Vrms•UL认证:UL1577,E67349号文件•期权(D4)VDE核准:德标VDE0884/06.9276823号证书最大绝缘工作电压:630VPK允许的最高过电压:4000VPK(注):当需要一个VDE0884认可类型,请指定命名为“期权(D4)”•爬电距离:6.4mm(最小)空隙:6.4mm(最小)单位mm东芝11−10C4重:0.54g2002-06-276TLP250(INV)2002-06-276TLP250(INV)TRUTHTABLE记录1记录2输入LED

3、开开关关关开管脚排列(俯视图)1:空置.2002-06-276TLP250(INV)１８２７３６４５2:正极3:负极4:空置.5:地6:电压输出7:电压输出8:电源2002-06-276TLP250(INV)2002-06-276TLP250(INV)SCHEMATICIF2+VFICC（Tr1）VCC8VO７2002-06-276TLP250(INV)3-VO2002-06-276TLP250(INV)一个0.1uF的旁路电容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5）IO（Tr２）65GND2002-06-276

4、TLP250(INV).2002-06-276TLP250(INV)极限工作范围(工作温度=25°C时)典型参数符号极限值单位LED正向电流IF20mA正向电流变化率(工作温度≥70℃)∆IF/∆Ta−0.36mA/°C浪涌电流(注释1)IFPT1A反向电压VR5V节点温度Tj125°C探测器“H”峰值输出电流脉冲宽度≤2.5µs,频率≤15kHz(注释2)IOPH−1.5A脉冲宽度≤1.0µs,频率≤15kHz−2.0“L”峰值输出电流脉冲宽度≤2.5µs,频率≤15kHzIOPL+1.5A脉冲宽度≤1.0µs,频率≤

5、15kHz+2.0输出电压(工作温度≤70°C)VO35V(工作温度=85°C)24供电电压(工作温度≤70°C)VCC35V(工作温度=85°C)24输出电压变化率(工作温度≥70°C)∆VO/∆Ta−0.73V/°C供电电压变化率(工作温度≥70°C)∆VCC/∆Ta−0.73V/°C节点温度Tj125°C工作频率（注释3)f25kHz工作温度范围Topr−20~85°C存储温度范围Tstg−55~125°C引脚焊接温度(10s)Tsol260°C隔离电压(交流,1分钟.,相对湿度≤60%,工作温度=25°C)(注释

6、4)BVS2500V（有效值）(注释1):脉宽≤1µs,300pps(Note2):浪涌(注释3):浪涌波形IOPH≤−1.0A(≤2.5µs),IOPL≤+1.0A(≤2.5µs)(注释4):双端驱动:1,2,3,4脚短接；5,6,7,8脚短接.(注释5):用一个0.1µF陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。.错误的走线（绕线）可能会削弱开关的性能。电容和耦合器之间的总长度不能超过1cm。建议工作条件典型参数符号最小值典型值.最大值单位开关打开时的输入电流IF(ON)7810mA开关关断时的输入电压V

7、F(OFF)0—0.8V供给电压VCC15—3020V峰值输出电流IOPH/IOPL——±0.5A工作温度Topr−20257085°C2002-06-276TLP250(INV)电特性(工作温度=−20~70°C,除另有规定外)典型参数符号测试回路测试条件最小值典型值.最大值单位正向输入电压VF—IF=10mA,Ta=25°C—1.61.8V正向电压下的温度系数∆V/∆Ta—I=10mA—−2.0—mV/°C反相输入电流IR—VR=5V,Ta=25°C——10µA输入电容CT—V=0,f=1MHz,Ta=25°C—45

8、250pF输出电流“高”电平IOPH2VCC=30V(*1)IF=10mAV8−6=4V−1.0−1.5—A“低”电平lIOPL1IF=0V6−5=2.5V1.02—输出电压“高”电平VOH3VCC1=+15VVEE1=−15VRL=200Ω,IF=5mA1112.8—V“低”电平VOL4VCC1=+15VVEE1=