mosfet测试基本知识

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1、MOSFET测试基本知识NFMEConfidential课程内容和学习要求•学习目标：–最大限度地了解与集成电路测试相关的概念（广度）–常见POWER测试方法（深度）1、测试设备的应用2、测试项目NFMEConfidentialMOSFET简介第一章：MOSFET简介1.1MOSFET定义与特点1.2MOSFET结构1.3MOSFET工作原理NFMEConfidential3MOSFET简介1.1MOSFET定义与特点MOSFET=Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor即金属-氧化层-半导体-场

2、效晶体管.MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET等。特點：1.单极性器件(一种载流子导电)2.输入电阻高(1071015，IGFET(绝缘栅型)可高达1015)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低NFMEConfidential4MOSFET简介1.2MOSFET结构以NMOSFET为例：SDG

3、在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两N+N+个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体耗尽层P型衬底表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层(掺杂浓度低)，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，B这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。D它的栅极与其它电极间是绝缘的符號如右BGSNFMEConfidential5MOSFET的直流参数及测试目的1.3MOSFET工作原理NMOS工作原理;1)u对导电沟道

4、的影响(u=0),如左圖GSDSA.当UGS=0，DS间为两个背对背的PN结；B.当0U)DS间的电位DSDGSGS(th)差使沟道呈1.预夹断(UGD=UGS(th))：漏极附近反型楔形，uDS层消失。.，靠近漏极2.预夹断发生之前：ui。端的沟道厚DSD度变薄。3.预夹断发生之后：uDSiD不变。NFMEConfidenti

5、al6MOSFET的直流参数及测试目的第二章：MOSFET的直流参数及测试目的2.1直流参数及测试2.2LV（雪崩）测试2.3DV（热阻）测试2.4RG（栅极电阻）测试NFMEConfidential7MOSFET的直流参数及测试目的2.1直流参数及测试我们公司在测试MOSFET直流参数的时候，用的都是JUNO.电压可扩展最大到3000伏（V），电流最大到200安（A）。标准测试主机、可测如下器件：二极管、纳二极管、晶体管、MOS—FET、接合型FET。增加选件，可测器件为：可控硅、三端双向可控硅、三端双向可控硅开关件、三端稳压器，D—GATE、FE

6、T、霍尔器件等。测试系统由测试主机DTS-1000、测试接口盒HDXXXX及控制用电脑PC构成。NFMEConfidential8MOSFET的直流参数及测试目的2.1直流参数及测试测试系统由测试主机DTS-1000、测试接口盒HDXXXX及控制用电脑PC构成。NFMEConfidential9MOSFET的直流参数及测试目的2.1直流参数及测试常见的测试项目：1.IGSS:Gate-to-SourceForwardLeakageCurrent2.IDSS：Drain-to-SourceForwardLeakageCurrent3.BVDSS：Dra

7、in-to-SourceBreakdownVoltage4.VTH：GateThresholdVoltage5.RDSON：StaticDrain-to-SourceOn-Resistance6.VFSD：DiodeForwardVoltageNFMEConfidential10MOSFET的直流参数及测试目的1.测试项目(IGSS)，测试线路如右：IGSS：此为在闸极周围所介入的氧化膜的泄极电流，此值愈小愈好，当所加入的电压，超过氧化膜的耐压能力时，往往会使组件遭受破坏。测试方法：D,S短接，GS端给电压，量测IGS测试目的：①.检测Gate氧化层

8、是否存在异常②.检测因ESD导致的damage③.检测Bonding后有无Short情形NFMEConfid