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时间：2019-11-11
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1、MOSFET&IGBT在PDP上的应用MOSFET&IGBT概述MOSFET结构图在MOSFET中是多子移动，单极性器件开关时间短MOSFET等效图IGBT结构图IGBT等效电路寄生晶闸管引起锁定效应可能引起误导通NPT型IGBT特点MOSFET&IGBT输出特性MOSFET输出特性IGBT输出特性IGBT和MOSFET在硬开关的时候典型特性导通过程的说明MOSFET与IGBT的发展方向MOSFET几个用法单向导通双向导通MOSFET几个用法MOSFET几个用法电容隔离式使用MOSFET几个用法变压器隔离式使用MOSFET几个用法DC-DC
2、式光耦隔离使用MGD2110的内部结构IR2110基本应用IR2110自举原理说明IR2110说明IR2110优点：价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开关。耐压比较高，可以达到500伏。电路形式简单，应用元件较少，电路板面积较小。IR2110说明IR2110驱动电路的缺点是：浮动驱动电压由自举电容实现，要求电路的输出要有足够为零电位的时间，以给自举电容充电。IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该电路不能用于输出可能为负电压的场合。如果要求输出有较长时间为高，可能要采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电容长时间保持＋15V压差，使得开
3、关管M1在该时间段内导通。IR2110说明采用IR2110的浮动通道来实现高压MOS浮动栅极驱动电路的适用条件：输出电压没有负电压。驱动电压波形中零电位出现不能相隔太久。零电位维持时间要满足自举电容充电的时间。IR2110的典型使用方法光耦驱动的典型结构光耦的使用方法自举电压实现Y驱动的结构图
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