mosfet参数理解及测试项目方法

《mosfet参数理解及测试项目方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、MOSFET参数理解及测试项目方法MOSFET产品部MOSFET简要介绍MOSFET（Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)---金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为：1、PMOS2、NMOSMOSFET简要介绍MOS管结构及符号图(a)内部结构断面示意图(b)N沟道符号，P沟道符号G：栅极D：漏极S：源极MOSFET参数理解及测试方法MOSFET参数很多，一般Datasheet包含

2、以下参数：极限参数：VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。ID：额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下：TJmax：MOS最大结点工作温度150℃RθJC：封装热阻（节点-外壳）TC：Case表面温度为25℃极限参数IDM：最大脉冲漏源电流。我们通常取IDM=4×IDPD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。Tjm

3、ax：MOS最大结点工作温度150℃RθJC：封装热阻TC：Case表面温度为25℃Tj：最大工作结温。通常为150℃TSTG：存储温度范围。通常为-55℃～150℃静态参数1.V(BR)DSS：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。TestCondition：VGS=0，ID=250uA静态参数2.IDSS漏-源（D-S）漏电流。一般在微安级TestCondition：VGS=0，VDS=RatedVDS3.IGSS栅源驱动电流或反向电流。一般在纳安级TestCondition：VDS=0，VGS=RatedVGS静态参数4.VGS

4、(th)：开启电压（阀值电压），它具有负温度特性。TestCondition：VGS=VDS，ID=250uA静态参数5.RDS(ON)：在特定的VGS（一般为2.5Vor4.5Vor10V）及漏极电流(我们一般取1/2RatedID)的条件下，MOSFET导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。雪崩特性参数功率MOSFET在电感型负载回路中，MOSFET由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。EAS：单脉冲雪崩能量IAS：电感峰值电流IAR：单脉冲雪崩电流雪崩

5、特性参数雪崩特性波形图（一）IAS=12.6ABVDSS=744Vtp=2ms雪崩特性参数雪崩特性波形图（二）IAS=15ABVDSS=768Vtp=2.5ms动态参数Ciss：输入电容。Ciss=CGD+CGSCoss：输出电容。Coss=CDS+CGDCrss：反向传输电容。Crss=CGDTestCondition：VGS=0，VDS=10Vor15Vor25f=1.0MHZ动态参数MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。Qg：栅极总充电电量。Qgs：栅源充电电量。

6、Qgd：栅漏充电电量。TestCondition：VDD=80%RatedVDS,ID=RatedID,VGS=4.5V(VGS≤12V)or10V,RG=10Ω动态参数开关时间(SwitchingTime)Td(on)：导通延迟时间Tr：上升时间Td(off)：关断延迟时间Tf：下降时间TestCondition：VDD=1/2RatedVDS,ID=1/2RatedID,VGS=4.5V(VGS≤12V)or10V,RG=4.7Ω动态参数gm：跨导(单位：S)gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，gm为的曲线

7、的斜率；在输出特性曲线上也可求出gm。寄生二极管特性参数VSD：寄生二极管正向导通电压测试电路：Trr：二极管反向恢复时间二极管可视为一种电容。积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为TrrSGDSafeOperatingAreaSafeOperatingAreaSafeOperatingAreaSafeOperatingAreaThankyou