理解功率MOSFET 数据表参数.pdf

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1、AN11158理解功率MOSFET数据表参数修订版：3—2013年1月7日应用笔记文档信息信息内容关键词MOSFET。摘要本应用笔记描述了功率MOSFET数据手册参数的内容恩智浦半导体AN11158理解功率MOSFET数据表参数修订记录版本日期说明v.320130107更正了图片对照检索信息，在第10页增加了温度限定符v.220120816第二版v.120120416初版联系信息更多详情，请访问：http://www.nxp.com欲咨询销售办事处地址，请发送电子邮件至：salesaddresses@nxp.comAN11158本文档中所有信息均受法律免责声明保护。©NX

2、PB.V.2013.版权所有。应用笔记修订版：3—2013年1月7日2/24恩智浦半导体AN11158理解功率MOSFET数据表参数1.前言本用户手册解释恩智浦半导体公司的功率MOSFET数据手册中提供的参数和图表。其目标是帮助工程师确定针对特定应用的最佳器件。必须注意所列参数的使用条件，因为它们会随器件供应商的不同而有所不同。这些条件可能会影响参数值，使得难以在不同供应商之间作出选择。整篇文档以BUK7Y12-55B数据手册举例说明。BUK7Y12-55B是一款符合汽车工业标准的器件，采用SOT669(LFPAK56)封装，额定电压为55V。该数据手册的布局代表了恩智浦

3、功率MOSFET数据手册的一般布局情况。恩智浦功率MOSFET针对特定应用而设计。例如，当主要考虑开关损耗时，便尽可能减少开关电荷；而主要考虑导通损耗时，则尽可能降低导通电阻。2.数据手册技术部分2.1产品简介本节提供器件概览，为设计人员提供器件适用性的关键信息。简介部分描述了所用的技术，列出了关键特性和示例应用。快速参考数据表包含目标应用的更多详细信息和关键参数。有关快速参考数据表的示例，参见表1“快速参考数据”表1.快速参考数据符号参数条件最小典型最大单位值值值VDS漏极-源极电压Tj≥25°C；Tj≤175°C--55VID漏极电流VGS=10V；Tmb=25°C；

4、--61.8A图1Ptot总功耗Tmb=25°C；表3--105W静态特性RDS(on)漏极-源极导通电阻VGS=10V；ID=20A；-8.212mΩTj=25°C；动态特性QGD栅极-漏极电荷ID=20A；VDS=44V；-14.8-nCVGS=10V；雪崩耐受性EDS(AL)S非重复漏极-源极雪崩能量ID=61.8A；Vsup≤55V；--129mJRGS=50Ω；VGS=10V；Tj(init)=25°C：未箝位描述参数的一般格式是给出正式符号，然后给出正确参数名称。所有相关条件和信息均在参数名称后列出。参数值和数值的单位在最后两列中输入。所有条目均符合IEC60

5、747-8标准。有关快速参考数据参数的详细描述，参见数据手册的特性部分。以下列表介绍并解释了某些关键问题：AN11158本文档中所有信息均受法律免责声明保护。©NXPB.V.2013.版权所有。应用笔记修订版：3—2013年1月7日3/24恩智浦半导体AN11158理解功率MOSFET数据表参数VDS-器件在关断状态下，保证阻隔的漏极和源极之间的最大电压。本节数据手册涉及最常用的温度范围，而非器件的全温度范围。ID-器件能承受的最大连续电流；底座持续保持在25°C，器件完全导通。在表1的示例中，ID要求VGS为10V。Ptot-器件可消耗的最大连续功率；底座持续保持在25

6、°C。RDS(on)（漏极-源极导通电阻）-在所描述的条件下，器件处于导通状态的典型和最大电阻。RDS(on)会随结温(Tj)和栅极-源极电压(VGS)的变化而大幅改变。数据手册提供图表，帮助确定不同条件下的RDS(on)值。QGD（栅极-漏极电荷）-与开关损耗有关的重要开关参数；其他重要参数还有QGS和QG(tot)。QGD与RDS(on)成反比，因此在RDS(on)和QGD之间作出适当权衡对实现最佳电路性能而言非常关键。QOSS（输出电荷）-一个在现代MOSFET中越来越重要的开关参数；其他开关参数已经优化。EDS(AL)S（非重复漏极-源极雪崩能量）-描述了超过器件

7、额定VDS值的任意电压峰值或脉冲允许的最大电能。超过该额定值则可能导致器件损坏。该参数描述了通常称为“耐受性”的特性，表示器件耐受过压事件的能力。2.2引脚配置信息本节描述了器件的内部连接和一般布局。请注意，符号代表增强型N沟道MOSFET，其源极与本体相连，并且在源极和漏极之间并联一个二极管。并联二极管称为“本体二极管”，为功率MOSFET本身所固有。N沟道功率MOSFET在漏极和源极之间存在本体二极管，如表2所示。表2.引脚配置引脚符号说明外形简图图形符号1S源极mbD2S源极3S源极G4G栅极mbb076SmbD底座：与