《存储系统》ppt课件

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1、1第4章存储系统4.1存储器的基本原理4.2存储器的构成4.38086CPU的存储器扩展2RAM：随机访问存储器SRAM：静态存储器StaticrandomaccessmemoryDRAM：动态存储器DynamicrandomaccessmemoryROM：只读存储器Readonlymemory4.1存储器的基本原理31.SRAM存储器T1～T4构成双稳态触发器数据读出时，X、Y译码线为高数据写入时，I/O数据准备好，然后X、Y译码线为高特点：速度快、电路复杂4SRAM存储器芯片结构51024×1位结构芯片内部框图6SRAM芯片的

2、引脚信号SRAM芯片的控制信号：ADD地址信号，在芯片手册中通常表示为A0，A1，A2，…。CS芯片选择，低电平时表示该芯片被选中。WE写允许，低电平表示写操作，高电平表示读操作。Dout数据输出信号，在芯片手册中通常表示为D0，D1，D2，…。Din数据输入信号，也表示为D0，D1，D2，…。OE数据输出允许信号。7SRAM时序读周期：地址有效CS有效数据输出CS复位地址撤销写周期：地址有效CS有效数据有效CS复位（数据输入）地址撤销8A0~A12：地址线D0~D7：数据线WE～：写允许信号，低有效OE～：读允许

3、信号，低有效CE～、CS：选片信号Vcc（28）、GND（14）：SRAM626492.DRAM存储器动态RAM是以MOS管源极电容是否充有电荷来存储信息的，其基本单元如下图所示。由于只用一个MOS管，所以功耗很低，存储容量可做得很大。它是由T管和寄生电容Cs组成的。10DRAM芯片的引脚信号DRAM芯片增加的控制信号：RAS*行地址选通信号CAS*列地址选通信号ADD地址信号，在芯片手册中通常表示为A0，A1，A2，…。CS芯片选择，低电平时表示该芯片被选中。WE写允许，低电平表示写操作，高电平表示读操作。Dout数据输出信号，

4、在芯片手册中通常表示为D0，D1，D2，…。Din数据输入信号，也表示为D0，D1，D2，…。OE数据输出允许信号。11RAS～：行选通信号CAS～：列选通信号WE～：读/写控制，1为读，0为写Din：数据输入Dout：数据输出12DRAM时序（一）读周期：行地址有效行地址选通列地址有效列地址选通数据输出行选通、列选通及地址撤销13DRAM时序（二）写周期：行地址有效行地址选通列地址、数据有效列地址选通数据输入行选通、列选通及地址撤销14DRAM时序（三）刷新周期：RASonly：刷新行地址有效RAS有效刷

5、新行地址和RAS撤销CASbeforeRAS：CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销hidden：（在访存周期中）RAS撤销RAS有效15DRAM时序（四）刷新周期：RASonly：刷新行地址有效RAS有效刷新行地址和RAS撤销CASbeforRAS：CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销hidden：（在访存周期中）RAS撤销RAS有效16DRAM时序（五）刷新周期：RASonly：刷新行地址有效RAS有效刷新行地址和RAS撤销CASbeforRAS：CAS有效RAS有效CAS撤销RAS撤销hi

6、dden：（在访存周期中）RAS撤销RAS有效17EPROM可擦除可编程只读存储器顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程编程后，应该贴上不透光封条出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1，编程就是将某些单元写入信息018VPP~CE~OE~PGMD0..D7读方式5V000输出编程方式12V11负脉冲输入检验方式12V000输出备用方式5V××1高阻未选中5V1××高阻Intel2764工作方式19EEPROM/E2PROM电可擦除可编程只读存储器在系统中是电可擦除的,擦写的

7、电压比读入电压要高，通常为12V，擦写速度在毫秒量级,但仍比普通的RAM慢很多不同厂家的EEPROM时序会有不同,要选择相应的EEPROM才能与芯片配合20Flash存储器有E2PROM技术演化而来，读写速度更快、容量更大、成本更低。必须以块为单位而非以字节为单位进行信息更新分为NOR型和NAND型NOR型：速度快，适合存储程序代码，支持程序直接在Flash存储器中运行NAND型：容量大，集成度高214.2存储器的构成22位扩展芯片的地址线数：18存储器的结构256Kbx32容量：1MBCPU的有效地址位数：20位字节地址每个芯片

8、的地址范围相同23字扩展24存储器芯片引脚数:18存储器结构：256kBx8CPU有效地址线数：21每个芯片的地址范围不同25字位扩展26例1某计算机的主存地址空间中，从地址0000H到3FFFH为ROM存储区域，从4000H到5FFFH为保留地址