2008 0505 TEL Etcher Introduction

2008 0505 TEL Etcher Introduction

ID:40021581

大小:3.89 MB

页数:50页

时间:2019-07-17

2008 0505 TEL Etcher Introduction _第1页
2008 0505 TEL Etcher Introduction _第2页
2008 0505 TEL Etcher Introduction _第3页
2008 0505 TEL Etcher Introduction _第4页
2008 0505 TEL Etcher Introduction _第5页
资源描述:

《2008 0505 TEL Etcher Introduction 》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、TELEtcherIntroductionOutlineTEL(Unity/DRM)H/WIntroductionOxideEtchApplications&RequirementOxideEtchProcessIntroductionCaseStudyofOxideEtchQ&AOutlineTEL(Unity/DRM)H/WIntroductionOxideEtchApplications&RequirementsOxideEtchProcessIntroductionCaseStudyofOxideEtchQ&ATELPlatformConfigurat

2、ionTELTransferSystemABABCCTELProcessChamberUpper&LowerProcessChamberUpperChamberLowerChamberCoolingPlate&ProtectRingCoolingplateProtectringTorqueWrenchCoolingplate20kgf-cmUpperelectrode3.5kgf-cmInstallCoolingPlateInstallUpperElectrodeESC(ElectrostaticChuck)為了讓晶片與下電極均勻傳熱,在晶背通以He(氦氣),但需將晶片固定,早期

3、使用機械式固定,後發展出ESC。主要是利用矽材半導體之特性,施加電壓可以輕易產生電子電洞停止施加電壓則電子電洞亦可輕易中和。當電極加以直流電產生電壓時,晶圓背面亦產生電極性,兩者尤如平行板電容,以靜電力方式固定晶片。ShieldRing&FocusRingInstallShieldRing&FocusRingUpperElectrodeConditionNewUsedFocusRingConditionNewUsedTELDisplayIntroduction機台系由P1(chamberA),P2(chamberB),TC,PA(轉平邊),C1(LLA),C2(LLB)所構成按此

4、鍵進入alarm歷史紀錄畫面切換Local/Remote顯示所runwafer之批號及程式等相關訊息粉紅色表chamber正在打RF,對wafer進行蝕刻綠色區塊表此區域為維修P1P2狀況,角落紅點表wafer無法自動傳入TCPA直接點擊TC區塊,可以進入Lot歷史紀錄中查詢資C1C2料按Pause,會使傳送停止;按Next,則切換下一頁功能表按Continue,則恢復正常傳送TELDisplayIntroductionSlotStatus藍色:於cassette,等待蝕刻黃色:Arm將其抓入T.M或chamber中,等待或正在蝕刻中綠色:蝕刻完畢,並傳回cassette淺藍色

5、:未蝕刻,直接傳回cassette紫色:蝕刻過程中,有按abort鍵中斷蝕刻蝕刻過程中紅色:於當機棕色:Mappingerror深綠色:蝕刻過程中,有按retry鍵重新完成蝕刻OutlineTEL(Unity/DRM)H/WIntroductionOxideEtchApplications&RequirementsOxideEtchProcessIntroductionCaseStudyofOxideEtchQ&AOxideEtchApplicationsWhatistheapplicationsforSiO2?•Dielectriclayer–isolation,pa

6、ssivation•FOX(Fieldoxide)–isolationbetweenactiveregions•Spacer–protectionofgateformimplantationandmaskofdeviceimplanting•ILD(inter-layerdielectric):DielectricbetweenPolyandmetal•IPD(inter-polydielectric):DielectricbetweenPolylayers•IMD(inter-metaldielectric):Dielectricbetweenmetallayers•Conta

7、ct:connectionbetweenactiveandmetal•Via:connectionbetweenpolylayers(PVIA);connectionbetweenmetallayers(MVIA)TheRequirementsofEtchBack•STIEB,FOXEB,ILDEB,IPDEB,SOGEB…..AP8KAPUSGDep.SiNControlfactor:LineroxideERcontrolP-SUBTK&U%controlSiNDefec

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。