半导体行业观察系列二：Micron，Q3业绩超预期，已部分恢复对华为供货

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1、目录索引MICRONFY2019Q3EARNINGCALL要点摘录（数据来源：SEEKINGALPHA提供的TRANSCRIPT文件）5一、Q3整体经营情况5二、Q3分部经营情况5三、经营环境分析和未来指引6四、中美贸易摩擦影响7五、公司长期发展前景7MICRON财务经营数据一览7图表索引表1：Micron2018年初至今关键性季度财务数据7表2：Micron2018年初至今Segment数据8MicronFY2019Q3EarningCall要点摘录（数据来源：Micron公开发布的Notes以及SeekingAlpha提供的Transcript文件）一、Q3整体经营情况²管理层认为报告

2、期内虽然行业景气下行并且价格跌幅超预期，但基于公司对成本管控、定价规范、以及技术提升的执行到位，仍然实现超预期的经营业绩。²上一轮行业下行周期时公司的相对盈利能力是下滑的，但在这一轮的周期中持续提升，主要得益于公司的技术提升、成本管控、和高价值量解决方案的策略。成本下降主要是依靠技术制程的转换和定制化后端包装占比的提升。²技术和制程方面：1）DRAM：公司在2019财年将实现有效的成本下降。1Y纳米制程的出货比重持续增加，目前看2020财年将顺利向1Z制程转换。今年4月，台中新Fab破土。本月初，公司宣布将在日本广岛建设新Fab厂。新建Fab能够促使公司目前的产能向下一代制程转换。2）NA

3、ND：96层3DNAND产品持续爬坡，2019财年将实现健康的成本下降。在128层NAND（使用ReplacementGate技术）方面公司持续获得进展，在这一代制程上会实现部分比例的转换，下一代ReplacementGate制程则将实现全面转换。²Q3实现收入48亿美元，位于公司指引区间中值，YoY下滑39%，QoQ下滑18%。DRAM和NAND均受到了华为事件的影响，若排除此影响，收入预计位于指引区间上限。²Q3毛利率（Non-GAAP）39%，去年同期为61%，Q2为50%，毛利率下降主要是产品价格下滑的影响。美对中加征关税对毛利率影响控制在30bps以下，得益于公司将90%的影响成

4、功消除。²Q3运营费用7.7亿美元，位于指引区间，营业利润11亿美元，对应23%营业利润率，营业利润率YoY下滑28pct，QoQ下滑13pct。²Q3末存货49亿美元，环比Q2末增加5亿美元。由于2020年NAND供给将受限于制程转换限制，因此为了完成与需求匹配的出货容量增长，公司在2019和2020年会主动提高NAND产品库存水平。同时考虑行业层面的供需边际趋于平衡，公司在2019年也将提高DRAM的库存水平。二、Q3分部经营情况²移动业务方面，短期受到了美国贸易限制的影响，但未来5G、折叠屏以及手机光学升级等趋势将继续推动公司移动业务的成长。²数据中心业务方面，云中心客户正在积极去化

5、库存，大部分正在接近正常的库存水位。公司云中心DRAM出货容量在Q3继续实现环比增长，超出原有预期，并且预计FQ4将实现强劲的环比增速。企业级客户的库存去化的速度低于预期。²图像业务方面，随着客户库存正常化，Q3实现了环比增长。公司拓宽了高性能GDDR6产品的客户群，预计2H19将实现较快增长。²PC业务方面，由于CPU缺货的缓解，DRAM出货容量重回增长。预计FQ4伴随笔记本电脑销量回升，DRAM出货容量将实现环比增长。²汽车业务方面，虽然全球销量增速放缓，但ADAS和信息娱乐系统升级仍然带来单车存储价值量的快速提升，公司在汽车市场份额领先。²DRAM方面，Q3收入30亿美元左右，占比6

6、4%，YoY下滑45%，QoQ下滑19%。环比上一财季，DRAM产品ASP下滑20%，出货容量打平（若排除华为事件影响则会实现环比增长）。²NAND方面，Q3收入15亿美元左右，占比31%，YoY下滑25%，QoQ下滑18%。环比上一财季，NAND产品ASP下滑15%左右，出货容量下滑5%（若排除华为影响，收入和出货实际上高于公司预期）。Q3NAND业务毛利率（Non-GAAP）在25%以上。三、经营环境分析和未来指引²过去几个月，公司多数终端市场下游客户的库存水平已经如预期出现大幅改善，预计行业层面2H19DRAM容量需求将恢复健康的同比增长，NAND容量需求因为价格的下降也在增加。²虽

7、然客户库存已经改善，但供应商的库存水位却在抬升。虽然上个季度公司宣布的资本开支缩减会在2H19开始影响行业的供给，但目前看为了促使行业回归供需平衡的状态，公司需要进一步缩减资本开支和出货容量。²DRAM行业方面，虽然1H19环比下滑，但基于对客户库存水平改善的考量，公司预计行业出货容量将在2H19出现明显的增长，预计2019全年行业需求容量增速在15%左右（mid-teens），供给容量增速在15~20%（high-te