资源描述：
《氮化镓低维纳米结构的制备与表征》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第37卷第1期山东大学学报(工学版)2007年2月Vol.37No.1JOURNALOFSHANDONGUNIVERSITY(ENGINEERINGSCIENCE)Feb.2007文章编号:16723961(2007)01001005氮化镓低维纳米结构的制备与表征吕伟,吴莉莉,邹科,吴佑实(山东大学材料科学与工程学院,山东济南250061)摘要:主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRT
2、EM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.关键词:氮化镓;低维纳米结构;表征中图分类号:O611文献标识码:APreparationandcharacterizationoflowdimensionalGaNnanostructuesLUWei,WULili,ZOUKe,WUYoushi(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShandongUniversity,Jin
3、an250061,China)Abstract:GaNnanowiresandnanobeltsweresynthesizedviathevaporphasedepositionmethodwithGaNasinitiatingreagents.TheproductswerecharacterizedbyXRD,SEMandHRTEM.TheinfluenceofdifferenttechnologicalparameterstothemorphologyofGANwasstudied.TheRamanspectraofGaNnanowi
4、resandnanobeltswerealsoanalyzed.Keywords:galliumnitride;lowdimensionalnanostructues;characterizationGaN低维材料的研究工作开展的相对比较晚.0引言起先的报道大多是应用模板法制备一维氮化镓纳米材料,1997年,清华大学范守善研究组利用碳纳米GaN是一种直接宽带隙半导体,室温带隙宽约管为模板,在限制空间中得到了单晶GaN纳米棒,为3.4eV.以GaN为代表的第3代半导体材料,具有9!其直径约为15nm.其它还有:用纳米孔Al2O3为禁带宽度大、
5、电子漂移饱和速度高、介电常数小、热模板,利用Ga2O3与Ga混合物为起始反应物,在高稳定性好、耐高温性能好,在室温下不溶于水、酸、10,11!温下与NH3反应,制备GaN纳米线,利用GaAs碱,化学稳定性好,导热性和机械性能好等优良性12!1~6!纳米棒作模板制备了GaN纳米棒.2000年,研究能,是制造抗辐射、高频、大功率和高密度集成人员陆续报道了无模板在开放空间中直接合成GaN电子器件的理想材料,也是制造高亮度蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光发射器材的优低维纳米材料的工作,这开始了GaN纳米材料研究7,8!里程的重要一步
6、.美国哈佛大学Lieber等人用激光质材料.至少在过去30年中,发展蓝光、绿光半导体光发射器,一直是学术界和工业界努力的方向刻蚀GaNFe混合物靶制备出大量的GaN纳米13!之一.因为这种发射器在包括照明、信号指示、平板线.2000年,陈小龙研究组用经球磨机球磨后的显示、彩色复印、彩色扫描、光数据存储以及制药等GaN纳米粉为原料,在氨气中直接加热升华,得到了领域有广泛的应用,拥有巨大的市场潜力.六方纤锌矿结构的GaN纳米棒、纳米线和纳米收稿日期:20060913作者简介:吕伟,男,山东成武人,博士,主要从事无机功能纳米材料合成与性质研究.
7、Email:lvwei@sdu.edu.cn第1期吕伟,等:氮化镓低维纳米结构的制备与表征1114,15!带.纳米带的长度可达200m,其宽度:30~品的形貌和分布进行观察.样品的成分通过FESEM200nm,其厚度:5~10nm.其它相关报道还包括:用设备上配备的Xray电子色散能谱仪(EDX)进行分Fe和B2O3作催化剂,用GaGaN与氨气反应制备析.样品的微结构分析是在PhilipCM12和Philip16!GaN纳米带;用Ni和B2O3作催化剂,用GaGa2O3CM200透射电镜上进行.与氨气反应得到GaN纳米带,其
8、边沿呈对称锯齿2.1氮化镓纳米线和纳米带的形貌观察17!状;用先在硅片上制备Ga2O3膜再通氨气的方样品的表面形貌观察在场发射扫描电子显微镜法,合成
