氮化镓一维纳米材料与薄膜的制备与表征

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1、太原理工大学硕士研究生学位论文temper抓lres(900℃／925℃／95O℃／975℃)．Theresultsshowthatwithrising啪inatingtemperature，GaNnanomaterialshaVeatransfo彻ationprocessf两mnallowirestonanobelts，menf如mnanobeltstonanowires．3．Us堍oxidegalliumasGasource，啪moniaasNsoWce，Ni(Ac)2ascatalyst，GaNnanob

2、arsweresyllmesizedonSi(1OO)Substrateat1OOO℃，GaNnallobarshavesmootllsurface．Thedi锄eterofGaN彻nobarsranges仔om20to200姗，andthelengthV撕es舶m2tolOmicron．Replacingoxidegalli哪witllgallimnaSGasource，alargequantit)ro仆i曲quali够GdNnanowiresweresynthesizedonSiat900℃．GaNnano

3、wireshavedi锄eter啪ging丘．omlOto100Iun，withlen曲upto30岬．The印、讹ofGaNnanowiresorGaNnanobarS、ⅣasdominatedbyVLSmechallism．4．GaNfilmcomposedofc巧stallillemicrosheetSwassyntllesiZedonSi(111)subs包ratebyCVDus访gGa203andNH3aSGaandNsources，respectiVely．Nobu髓rla)，erwasused．T

4、heproductwasch踟麓cterizedusingFESEM，EDS，Ⅺ之D，HTEMandPL．Theresultsshowt11atmeproductisahighqualityGdNfilm，wmchisconlposedofc巧stallinemicrosheetSwitlllessdefects．GaNfilmdepositedonSisubS仃ateshowsasmoomsurf：犯ewimoutcmcl(ing．Astl．ongbaIld—edgeemissionpeakat367I珊is

5、observed．IthaSbeenfoundthatGaNnucleifirStlygrowedinisland，andthenf．omedthefilm铆。一dimensionally．KEYWORDS：one一(1iInensionsemicondu酏0rmaterial，galliumnitride，nanomaterial，film，hexagonal、^rLlrtziteV声明尸明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在指导教师的指导下，独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不

6、包含其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名：至羔生垒日期：夕彦．哆、乙≯关于学位论文使用权的说明本人完全了解太原理工大学有关保管、使用学位论文的规定，其中包括：①学校有权保管、并向有关部门送交学位论文的原件与复印件；②学校可以采用影印、缩印或其它复制手段复制并保存学位论文；③学校可允许学位论文被查阅或借阅；。④学校可以学术交流为目的，复制赠送和交换学位论文；⑤学校可以公布学位论文的全部或部分内容(保密学位

7、论文在解密后遵守此规定)。签名：：至兰垒丝日期：!互：!至，丝导师签名：：西!委塞日期：太原理工大学硕士研究生学位论文1．1引言第一章绪论材料是工业的基础，是技术进步的关键。现代新兴技术的兴起是以新材料为支柱和先导的，新材料的发展对现代新兴技术起着越来越重要的作用。有些专家指出，现代化工业的骨头是材料，血液是能源。日本则把能源、材料和信息誉为现代文明的三大支柱。材料种类繁多，据测算目前世界上已有材料40多万种，而且每年以5％的速度增长。综合世界各国新材料技术的发展情况，新材料大致可分为信息功能材料、能源材料、高

8、分子有机合成材料、复合材料和新型金属材料。信息功能材料的特点是要求高(超纯、超净、高精度)、专用性强、涉及面广、技术更新快。它可分为4种：①半导体材料：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料，其带隙在l～3eV，靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10一～107欧·米之间。半导体材料在电子元件、计算机微处理器及其它各种光学仪器、探测元件中的得到广