《集成电路工艺原理》课程+试题库

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1、一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。3．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或

2、n型）的固体硅锭。7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统

3、分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。118．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片

4、加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积20．目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，

5、则称为（异质外延）。24．如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷）。25．深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。26．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。27．化学气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。28．在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。29．HDPCVD

6、工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（）、（）、（）、热中性CVD和反射。金属化30．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。31．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。32．溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可2以用来（）。33．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。34．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝

7、），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。35．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（Cu）和（铝铜合金）。36．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W）和（W）。37．多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。38．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。39．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子