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时间:2019-08-19
《集成电路工艺原理试卷A》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2012-2013学年第二学期期末考试A卷课程名称:集成电路工艺考试形式:闭卷考试日期:2013年05月13日考试时长:120分钟课程成绩构成:平时30%,期中%,实验%,期末70%本试卷试题由4部分构成,共6页。题号一二三四合计得分得分一、填空题(共12分,共6题,每题2分)1、集成电路是把电阻、电容、二极管、晶体管等多个元器件制作在上,并具有的电路。2、集成电路的发展趋势:芯片性能不
2、断提高;芯片可靠性;芯片成本。3、在硅的热氧化中,三种氧化方式的氧化速率不同,其中干氧氧化速率湿氧氧化速率;水汽氧化速率湿氧氧化速率。4、在半导体硅中,掺入化学元素B杂质形成型半导体,掺入化学元素P形成型半导体。5、LPCVD的意思是,Poly-Si的意思是。6、STI的意思是,FOX的意思是。得分二、简答题(共56分)1、请描述硅的热氧化;并回答硅热氧化的工艺目的。(8分)第6页共6页学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2、请回答离
3、子注入的概念。(8分)3、请回答光刻的概念及光刻胶的用途。(8分)4、请写出干法刻蚀过程(8个步骤)。(8分)5、请回答PECVD的概念,并写出PECVDSiO2的化学反应式及沉积温度(注:使用硅烷SiH4)。(8分)第6页共6页学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……6、请回答溅射的概念及溅射的优点。(8分)7、请描述“早期基本的3.0μmCMOS集成电路工艺技术”中NMOS管之间的LOCOS隔离原理。(8分)得分三、计算题(共14分)
4、第6页共6页学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……1、已知某台分步重复式光刻机的紫外光源的波长为365nm、其光学系统的数值孔径为0.7、工艺因子为0.7,试计算该设备光刻的最小线宽。(7分)2、在P型〈100〉衬底硅片上,进行磷离子注入,形成N-WELL。已知衬底掺杂浓度为2.4×1014cm-3,注入能量:180KEV(RP≈7700Å、△RP≈1200Å)注入剂量:3.6×1013cm-2,试计算磷离子注入分布的最大掺杂浓度Nma
5、x和注入结深。(注:[2ln5000]1/2≈4)(7分)得分四、画图题(共18分)第6页共6页学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……在“早期基本的3.0μmCMOS集成电路工艺技术”中,有7大工艺步骤:1)双阱工艺;2)LOCOS隔离工艺;3)多晶硅栅结构工艺;4)源/漏(S/D)注入工艺;5)金属互连的形成;6)制作压点及合金;7)参数测试。请写出其中的多晶硅栅结构工艺和源/漏(S/D)注入工艺的具体工艺流程,并画出多晶硅栅结构工艺
6、和源/漏(S/D)注入工艺所对应的器件制作剖面图及其对应的版图(注意:版图要标出亮区或暗区;剖面图要标出各区名称)。(18分)第6页共6页学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……第6页共6页
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