《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库.doc

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1、一、填空题（30分二1分*30）10^/章晶圆制备1.用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG）,有时也被称为（电子级硅2・单晶万圭生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭X3・晶圆的英文是（wafer）,其常用的材料是（硅）和（错'4・晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长'整型（切片L磨片倒角、刻蚀、（抛光清洗检查和包装。5・从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100H110）和（1116.CZ直拉法生长单晶硅是把（或n型）的固体硅锭。融化了的半导体级硅衣体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型7•CZ直拉法的目的是

2、（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质弓I入到硅中影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率18.晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽X9.制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯1氧化10.11.12..尾气系统和（14.15.16..二氧化硅按结构可分为（）和（热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉（立式炉根据氧化剂的不同,热氧化可分为（干氧氧化X（湿氧氧化）和（水汽氧化用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔（硅片传输系统1气体分配系统、温控系统X）或（）和（快速

3、热处理炉X选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），最语缩略语分别为LOCOS和（STIx列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡1（表面钝化可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化（硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积场氧化层和（金属层间介质扩散）、（退火和合金。）的方法产生,由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为（薄膜X18.19.组成。热氧化的目标是按照（立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）要求生长（）的二氧化硅薄膜。）石英工艺腔1（加热器）和（石英舟20.21.聚成膜22.）和（PECVD1），第二步是（聚焦成束），第三步

4、是（淀积目前常用的CVD系统有：（APCVD1（LPCVD淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）；23・在外延工艺中,如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为（同质外延反之,膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝,则称为（异质外延124.如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷125.深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽

5、比的典型值大于（1高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（126.化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。27・化学气相淀积的基本方面包括:（）；（）；（128.在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间,在硅片表面（）的气体分子供发生反应。29・HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为:（1（1（热惟CVD和反射。金属化30.金属按其在集成电路工艺中所起的作用,可划分为三大类:（（）和（131・气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤

6、生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（32.溅射现象是在（以用来（X）和（），则溅射区域选择在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（X（平坦化33.对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（导电率>高黏附性、（淀积可靠性、抗腐蚀性、应力等。34.在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜X35.写出三种半导体制造业的金属和合金（Al（Cu）和（铝铜合金36.阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W）和（W137.多层金属化是指用来（）硅片上

7、高密度堆积器件的那些（）和（138.被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是:（X（X（）和铜电镀。39.溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击岀原子。这些被撞击岀的原子穿过（）,最后淀积在硅片上。平坦化40.缩略语PSG、BPSG、FSG的中文名称分别是（X（）和（X41.列举硅片制造中用到CMP的几个例子（LI氧化硅抛光