场效应管放大电路11

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1、第四章场效应管放大电路(模电)电子技术基础中国矿业大学信电学院返回第四章场效应管放大电路1熟悉MOSFET、JFET的外特性、主要 参数、使用注意事项。2掌握FET放大电路的工作原理,静态偏  置电路,会用小信号模型方法分析动态性能。3了解FET工作原理。基本要求:概述4.3结型场效应管4.1绝缘栅场效应管(MOSFET)4.4砷化镓金属--半导体场效应管4.5各种放大器件电路性能比较4.2MOSFET放大电路第四章场效应管放大电路概述1、场效应管利用电场效应来控制输出电流的半导体器件2、特点:体积小、重量轻、耗电省、寿命长输入电阻高噪声低热稳定好制造工艺简单,便于集成化N沟道

2、P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)概述3、分类:概述4.3结型场效应管4.1绝缘栅场效应管(MOSFET)4.4砷化镓金属--半导体场效应管4.5各种放大器件电路性能比较主要内容:4.2MOSFET放大电路4.1绝缘栅场效应管漏极D栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的,称绝缘栅型场效应管。金属电极1)N沟道增强型管的结构栅极G源极S4.1.1增强型绝缘栅场效应管SiO2绝缘层P型硅衬底高掺杂N区GSD符号:由于栅极是绝缘的,栅极电流几乎为零,输入电阻很高,最高可达1014。漏极D金属电极栅极G源极SSiO2绝缘层P型硅衬底

3、高掺杂N区由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅,故又称金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOS场效应管。2)N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–由结构图可见,N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开,漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。当栅源电压UGS=0时,不管漏极和源极之间所加电压的极性如何,其中总有一个PN结是反向偏置的,反向电阻很高,漏极电流近似为零。SD2)N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–当UGS>0时,P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层,填补空穴形成负离子的耗尽层;N型导电沟道在漏极电源

4、的作用下将产生漏极电流ID,管子导通。当UGS>UGS(th)时,将出现N型导电沟道,将D-S连接起来。UGS愈高,导电沟道愈宽。ID2)N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–N型导电沟道当UGSUGS(th)后,场效应管才形成导电沟道,开始导通,若漏–源之间加上一定的电压UDS,则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以,场效应管是一种电压控制电流的器件。在一定的漏–源电压UDS下,使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th)。ID工作原理小结1.正常放大时各极电压极性:G、S间加正偏压VGG-

5、S+GD、S间外加偏压VDD+D-S衬底S2.工作原理:(P200)(1)vGS对iD的控制作用:vGS=0,无导电沟道iD=0vGS垂直电场vGS≥VT形成导电沟道vGS导电沟道厚度沟道电阻iD开启电压(刚好形成导电沟道时的vGS)(2)vDS对导电沟道的影响作用:vDS(=vGS-vDS=VT)vDS夹断区增长iD不随vDS增大而增加vDSiD随vDS增大而增加导电沟道倾斜,预夹断3)特性曲线有导电沟道转移特性曲线无导电沟道ID/mAUDS/V0UGS=1VUGS=2VUGS=3VUGS=4V漏极特性曲线可变电阻区恒流区截止区开启

6、电压UGS(th)UDSUGS/N型衬底P+P+GSD符号:结构4)P沟道增强型SiO2绝缘层加电压才形成P型导电沟道增强型场效应管只有当UGSUGS(th)时才形成导电沟道。结构4.1.2耗尽型绝缘栅场效应管GSD符号:SiO2绝缘层中掺有正离子预埋了N型导电沟道如果MOS管在制造时导电沟道就已形成,称为耗尽型场效应管。1)N沟道耗尽型管2.耗尽型绝缘栅场效应管由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道,所以在UGS=0时,若漏–源之间加上一定的电压UDS,也会有漏极电流ID产生。当UGS>0时,使导电沟道变宽,ID增大;当UGS<0时,使导电沟道变窄,ID减小;UGS负值愈高,沟道愈窄,ID

7、就愈小。当UGS达到一定负值时,N型导电沟道消失,ID=0,称为场效应管处于夹断状态(即截止)。这时的UGS称为夹断电压,用UGS(off)表示。这时的漏极电流用IDSS表示,称为饱和漏极电流。2)耗尽型N沟道MOS管的特性曲线夹断电压耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道,加反向电压到一定值时才能夹断。UGS(off)转移特性曲线0ID/mAUGS/V-1-2-348121612UDS=常数UDSUGS=0UGS<0UGS>0漏

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