基本放大电路-场效应管放大电路

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1、模拟电子技术基础北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院主讲：赵建辉第二章基本放大电路(5.场效应管放大电路分析)2.1放大电路的概念及性能指标2.2基本共射放大电路工作原理2.3放大电路分析方法2.4放大电路工作点的稳定2.5三种基本晶体管放大电路2.6晶体管派生放大电路2.7场效应管放大电路第2章基本放大电路本节课内容2.3放大电路的分析方法重点：场效应管放大电路分析。难点：1.FET工作原理与特性曲线1.FET等效电路2.动态分析3.对比分析(与BJT比较)重点难点问题的提出:1.FET基本电路（直流Q点

2、设置:标准电路）2.如何定量分析对比?（分析方法:FET等效模型）3.有何不同?(与BJT比较理解)（分析内容:与BJT对比分析A,Ri,Ro）2.7.FET放大电路分析复习N沟道P沟道增强型(BJT类似)耗尽型N沟道P沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道P沟道(a)转移特性；(b)输出特性增强型(b)输出特性场效应管的转移特性和输出特性P型N型N型和P型关系:18

3、0度奇对称2.7.1FET的三种接法与BJT比较BJT的三种接法IE=(1+β)IB共源(s)共漏(d)共栅(g)2.7.2FET工作点设置及静态分析IGS=0基本共源电路方法1:做图:一、基本共源电路(以N-增强型为例,与NPN-BJT类似)静态工作点Q交点方法2:计算:二、自给偏压(耗尽型):结型N沟道(耗尽型)绝缘栅N沟道耗尽型(UGS可正可负)(UGS<0)注意:必须使FET工作在恒流区可否省略?三、分压式偏置(增强型)分压式偏置电路(Rg很大,增加Ri)联立求得(UGSQ和IDQ)注意:必须使FET

4、工作在恒流区工作点计算:(IG=0)栅极电位:源极电位:栅源电压:2.7.3FET放大电路动态分析1.分析方法:先静态，后动态，与三极管h参数类似动态分析采用等效电路法2.FET类型多，主要以增强型N沟道为例，重点分析共源和共漏2种基本接法(共栅类似)一、FET低频小信号模型：2.线性化处理(小信号时,Q点线化)4.参数意义3.交流表示(变化部分)1.输入输出关系(非线性)跨导(mS)RDS:漏源动态电阻(几十-几百KΏ)参数如何求取？跨导gm求取：代入小信号处增强型N-沟道为例：与工作点相关参数意义与图解

5、转移特性与gm输出特性与rdBJT与FET模型对比全模型方程简化模型二、FET基本共源电路分析：静态分析：动态分析：阻容耦合共源电路分析：（P134—2.23题）静态分析:联立求得(UGSQ和IDQ)动态分析：共射比较三、FET基本共漏放大电路分析：静态分析：动态分析：Ro如何求？输入短路输出加压产生Io:Us=UoUg=UdUgs=-UoIDS=gmUgs=-gmUoISD=-IDs=gmUoRo如求法？Ro很小，电压跟随开路压控电流源等效电阻BJT与FET放大电路共射（源）Ri大，Ro小(电压放大)共集

6、（漏）Ri最大，Ro最小(电压跟随器)Au≈1共基（栅）Ri小，Ro大(高频特性好)BJT与FET放大电路比较共射（源）共集（漏）跟随器共基（栅）不变作业P1322.132.142.152.212.222.23