基本放大电路726场效应管放大电路

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1、河北科技大学信息学院基础电子教研室模拟电子技术基础教程2.4电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。解:空载时根据电路的输入回路得到:ABQ●确定Q:IBQ＝20µA，ICQ＝2mA,UCEQ＝6V.根据电路的输出回路电压方程画出输出负载线A-B,确定ICQ＝2mAIBQICQUCEQ空载时最大不失真输出电压幅值约为6-0.7=5.3V，有效值约为5.3/=3.75V。ABQ●IBQICQ

2、UCEQ0.7V带载时：根据电路的输入回路得到IBQ＝20µA，根据电路的输出回路电压方程uCE=VCC'–iCRL'画出输出负载线A-C,最大不失真输出电压幅值约为2.4V，有效值约为1.70V。AC确定ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；VCCVCC'0.6V2.7电路如图所示，晶体管的＝80，rbb′=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q和Au、Ri和RO。解:在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为：习题解答空载时，静态管压降UCEQ、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：

3、RL＝3kΩ时,UCEQ、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：（2）若改用＝200的晶体管，则静态工作点Q如何变化？（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？2.11电路如图所示,晶体管的＝100,r'bb=100Ω。习题解答（1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；解:（1）静态分析：动态分析：则静态工作点Q基本稳定。（2）若改用＝200的晶体管（2）若电容Ce开路则Ri增大，Ri≈4.1kΩ；

4、Au

5、减小。2.6场效应管放大电路一、场效应管分类结型场效应管场效应管绝缘栅型场效应

6、管的分类增强型耗尽型N沟道N沟道P沟道P沟道二、结型场效应管的结构和工作原理N沟道漏极D源极S栅极GP沟道工作原理1.UDS＝0，iD＝0,UGS对导电沟道的影响沟道变窄，当增大到一定值，耗尽层闭合。夹断电压2.UGS=0时，UDS对iD的影响当UDS＝0时，载流子不会定向移动，iD＝0；UDS>0时,UDSiD,且电流通过N区—导电沟道；iD3.当UDS、UGS同时加上：iDUDS一定时，

7、UGS

8、使iD减小；UGS一定时,UDS(使uGD

9、的纵向电场增强使iD增大;两种作用抵消，iD保持不变。综上所述:当uGD0时，iD＝0。当UGS>0时，但较小时，iG＝0,形成耗尽层。UGS形成反型层iD产生产生导电沟道，此时的UGS称为开启电压——UGS(th)。耗尽层导电沟道的形成反型层iDiGSD四、场效应管的符号及特性曲线输出特

10、性曲线转移特性曲线符号类型P沟道结型场效应管N沟道结型场效应管输出特性曲线转移特性曲线符号类型P沟道增强型绝缘栅型场效应管N沟道增强型绝缘栅型场效应管注意：UGS(th)N>0UGS(th)P<0NMOS管为电压控制器件，当uGS>UGS(th)N，MOS管导通。PMOS管为电压控制器件，当uGS

11、的uGS值——耗尽型场效应管的参数。1.开启电压UGS(th):当UDS一定时,使漏极电流iD>0时所需加的UGS值—增强型场效应管的参数。3.饱和漏极电流IDSS：耗尽型场效应管，当UGS=0时,对应的漏极电流。4.低频跨到gm:gm数值的大小表示uGS对iD的控制作用——动态参数。场效应管与晶体管在电路中的作用类似，在数字电路中作为开关元件，在模拟电路中起放大作用。但是晶体管是电流控制元件，由iB控制iC；场效应管是电压控制元件，由uGS控制iD；——实现能量的控制。六、场效应管与三极管的比较双极型晶体管能

12、量控制方式：iB控制iC。场效应管能量控制方式：uGS控制iD。g-------bd-------cs-------e场效应管与三极管对比+-uGS**注意：对于任何一种场效应管其栅极电流都为零。2.6.1场效应管放大电路的三种接法晶体管有e、b、c，对应有共e、共b、共c电路；场效应管有s、g、d，则对应有共s、共g、共d放大电路。其中共栅电路很少使用2.6.2场效应管