微电子习题答案(第3单元)-无忧文档

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2、持化学反应发生，而PECVD是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。APCVD工艺温度一般控制在气相质量输运限制区，采用冷壁式反应器，在薄膜淀积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区，对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格，对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器，衬底垂直放置，装载量大，更适合大批量生产，气体用量少，功耗低，降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。PECVD工艺是典型的表面反应速率控制淀积方法，需要精确控制衬底温度。

3、最大特点是工艺温度较低，所淀积薄膜的台阶覆盖性、附着性也好于APCVD和PECVD。但薄膜一般含有氢等气体副产物，质地较疏松，密度低。2.有一特定LPCVD工艺，在700℃下受表面反应速率限制，激活能为2eV，在此温度下淀积速率为100nm/min。试问800℃时的淀积速率是多少?如果实测800℃的淀积速率值远低于所预期的计算值，可以得出什么结论？可以用什么方法证明？已知，薄膜淀积速率由表面反应控制时，有：G1/k=5040K/eVksCsksCTYE/kT，ksk0ea,NNG1eEa/kT1Ea/kT2eEa(kT2kT1)，Ea＝2eV,

4、1/kT1=5.18eV-1,1/kT2=4.70eV-1由此可得：G2e得800℃时的淀积速率是:G2100e2(5.184.70)262（nm/min）如果实测值远低于所预期的计算值，表明该工艺在此温度范围不是受表面反应速率限制，而是气相质量输运速率限制，或在700~800℃范围内出现淀积速率由表面反应速率限制向气相质量输运速率限制的转变。而在气相质量输运速率限制温区，温度升高淀积速率只有小幅增加。可通过实测淀积速率反推温度，在所得温度之上进行LPCVD淀积，再测淀积速率，如果和800℃时的淀积速率接近，就表明上述分析是正确的。3.薄膜在K

5、OH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？答：PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火，使H逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性，就能作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800℃，20min，即LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想，可升温延长时间。4.标准的卧式LPCVD的反应器是热壁式的炉管，衬底硅片被竖立装在炉管的石英舟上，反应气体从炉管前端

6、进入后端抽出，从炉管前端到后端各硅片淀积薄膜的生长速率会降低，那么每个硅片边缘到中心淀积薄膜的生长速率将怎样?如何改善硅片之间和硅片第1页下一页Word文档免费下载：微电子习题答案(第3单元)（共4页，当前第1页）你可能喜欢·制造技术·毛概课后习题答案·滑轮习题答案·数据结构习题答案·塑性力学习题答案·补充习题答案·应用光学习题答案·基础化学习题答案·先进制造技术7页·机械制造技术基础题库7页·先进制造技术答案3页·先进制造技术复习3页·先进制造技术问题和答案32页更多与“制造技术”相关的内容>>·毛概课后习题答案56页·毛概课后习题答案5页·

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