微电子器件课后答案(第

《微电子器件课后答案(第》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、部分习题解答部分物理常数：shanren第2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：（2-5a）shanren3、shanren4、shanren6、ND2ND1shanrenshanren8、(1)shanrenshanren(2)shanrenshanren20、shanren24、PN结的正向扩散电流为式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是PN结正向扩散电流的温度系数与

2、相对温度系数分别为shanren31、当N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当N-区缩短到W=3m时，雪崩击穿电压成为：shanren34、shanren39、shanren第3章1、NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图shanren2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图shanren3、shanren6、shanren7、8、以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得：shanren9、shanren10、(1

3、)(2)(3)(4)shanren14、shanren15、shanren20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，shanrenshanren27、实质上是ICS。22、shanren使NB>>NC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。39、为提高穿通电压Vpt，应当增大WB和NB，但这恰好与提高β相矛盾。解决方法：shanren48、当IE很大时，这时α0<α；当IE很小时，这时α0>α；在IE很小或很大时，α都会有所下降。在正常的IE范围内，α几乎不随IE变化，这时β0与β也有类似的关系。shanren58、shanr

4、enshanren59、shanren65、(1)(3)(2)(4)shanren68、shanren第5章1、shanren3、shanrenshanren5、shanren6、shanrenshanren8、shanren13、shanren