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1、部分习题解答部分物理常数:−19q=1.610×=C,kTq0.026V(T=300k),−−1412ε(Si)11.88.85410=××=×1.04510Fcm,S10−3En(Si)1.09eV,=(Si)1.510cm,=×Gi−−1412ε(Ge)168.85410=××=×1.41710Fcm,S13−3En(Ge)=0.66eV,(Ge)=2.410cm,×Gi−−1413ε=××=×3.98.854103.45310FcmOXshanren第2章1、在N区耗尽区中,高斯定理为:qEAdd=Nv∫∫AVDεs取一个圆柱形体积,底面在PN结的冶金结面(即原点)处,面积为一个
2、单位面积,顶面位于x处。则由高斯定理可得:q−+=EEx()NxmaxDεsq当x=x时,E(x)=0,因此E=−Nx,于是得:nmaxDnεsqEx()=(xxN−nD)(0≤≤xxn)(2-5a)εsshanren3、32kTNN510×AD(1)V==ln0.026ln×=0.739Vbi220qn2.2510×i12qNV20bi4-1(3)E==4.34×10VcmmaxεSεS−5(2)xE==2.8310cm×pmaxqNAεS−6xE==5.6710cm×nmaxqND1εε22VV2SbiSbi−5xxx=+=E===×3.4010cmdpnmaxqNEq
3、N0max0shanren4、111122εε222VVV−2SSbibixd=(VVbi−=)(VVbi−)=xd0qNqNVV00bibi当VVxx=−=32时,bidd0当VVxx=−=83时,bidd0shanren6、NND2D1由平衡时多子电流为零dnJ=+=qDqµnE0nnndxD1dnkT1dnkTdlnnn得:E=−⋅⋅=−⋅⋅=−⋅µnxdddqnxqxnND1kTND1kTND1V=−=Exdln
4、n=lnbi∫ND2qNqND2D2kT20−−3163将==0.026V,NN110cm,×=110cm×D1D2q4代
5、入,得:V=0.026ln(10)=0.24Vbishanren76、由第题:kT1dnkT1d()NxE=−⋅⋅=−⋅⋅qnxdqNx()dxxkT将NxN()=exp(−=)代入,得:E0λλqkT再将=0.026V,λ=0.4μm代入,得:E=650Vcmq12qNV20bi突变结的最大电场强度表达式为:
6、
7、E=maxεsNNDA15−3kTNNDA式中:NNV=≈=10cm,=ln=0.757V,0Dbi2NN+qnDAi−19−12q=1.610×C,ε=1.04510×Fcm,S4代入
8、EE
9、中,得:
10、
11、1.5210Vcm=×maxmaxshanren8、(1)NIP−
12、−xxi1n−xi10xi2xxi2+pdEqq1在N,型区,=NE=NxC+D1D1dxεεssq边界条件:在xxx=−−处,E=0,由此得:E=Nxxx()++i1n11Di1nεsdE2在型区,I=0,EE=常数=2maxdxdEqq3在型区,P,=−NE=−+NxCA3A3dxεεssq边界条件:在xxx=+处,E=0,由此得:E=−Nxxx()−−i2p33Ai2pεsshanrenNIP−−xxi1n−xi10xi2xxi2+pEE=E2maxE3E1x−−xx−x0xxx+i1ni1i2i2pqεEsmax在x=−=x处,EE=Nx,由此得:x=i11maxDnnεqNsDqεE
13、smax在xx=处,EE==Nx,由此得:x=i23maxAppεqNsAshanren(2)对于无型区的IPN结:qqx===+=0,x0,ENxx(),E−−Nxx()i1i21Dn3Apεεssqq在x=0处,电场达到最大,E=Nx=NxmaxDnApεεssEEmaxE3E1x0表面上,两种结构的E的表达式相同,但由于两种结构max的掺杂相同,因而V相同(即电场曲线与横轴所围面积相同),bi所以两种结构的、与xxE并不相同。npmaxshanren对于PIN结:11kTNNDAV=ExExEx++=lnbimaxnmaximaxp222qni2VbiE=maxxxx++2nip式中,x
14、xx=+ii1i2εεEEsmaxsmax将xx=,=代入,解出E,得:npmaxqNqNDA1qNx2εV20isbiE=+−11max2εqNxs0i12qNV20bi对于PN结,可令xE→=0,得:imaxεs当xE增大时,减小,0当xE→∞时,→imaximaxshanren20、σµµqNNppApA已知:==>>1σµµqNNnnDnD2qD