微米先进铝栅工艺开发

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1、东南大学硕士学位论文1.0微米先进铝栅工艺开发姓名：赵少峰申请学位级别：硕士专业：软件工程（集成电路）指导教师：时龙兴;滕敬信20070515摘要在集成电路1：艺发展到深亚微米的今天．AL金属栅CMOS工艺以其成本低廉、性价比高以及工艺简单而一直被众多工厂所追宠。在不改变目前工艺架构并且不增加成本的情况下，如何最大限度地发挥现有工艺技术与设备能力，提高金属栅CMOS工艺集成度，减小沟道长度从而提高器件性能仍然是一个工艺难题。在常规标准工艺下，金属栅MOS器件的短沟道效应、漏势垒降低(DIBL)、热载流子等现象会越来越明显，伴随而来的就是阈值电压漂移、击穿电压降低以及源漏

2、穿通等诸多不稳定因素，这些都会为器件的正常工作带来极大的隐患．本文围绕这些问题，利用进行校准之后的工艺模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI，采用工艺模拟与实际工艺流片相结合的方法，对沟道尺寸在0．Sgm～2ltm之间的金属铝栅CMOS进行器件模拟、试验及分析．提出了相应的工艺及改进措施，确定了金属橱CMOS器件在常规标准工艺下能够正常工作的器件设计规则以及相应的工艺条件和流程菜单。通过在无锡上-华-(CSMC)多次流片校正，流片结果与模拟结果很相近，指导了工艺生产。基于该工艺设计的电路性能进行的准确预测得到了验证，实现了从工艺到电路设计的。无缝”链接．关

3、键词：铝栅，小尺寸，工艺开发AbsⅢAbstractThekeytothereliablemanufaclureofsemiconductordevicesandICsaremeasurementandcontrolofcriticalmaterialspro叫i∞，equipmentcharacteristicsandfabricationandmblys哦Now,thefashionfeannedimensionsmthemicrometerandsub-micrometer．MGLV(10wvoltagemetalgaze)锄rac忸humanbeingfori忸

4、lowcost,higllperformance／costratioandsimpletechnology．Butitisadifficultproblemthathowtoincreaseintegrateddensityanddecreasechannellength．Innormaltechnologys伽ld扣吐AL-GateMOSde“c岱willsuffermoreandmorelowchannellengtheffect,DIBL，hotcarriers,whichwillcⅫ∞Ⅱ"“丘ofvoltage。thereduceofBVandthepunch-

5、au'oughofsourceanddrain．AlleffectswillcⅫ悦insecurityofdevil．Thepurposeofthispaperistosolve棚thesequestions．ThedewiczissimulatedbyTsuprem4andMedicandtheresultwillbeproofieadbythefabricateddevi倦．ThetechnologyismelioratedandthedesignmleofMGLVisobtained．TheproposeciI'CIlitisfabricatedbasedOnbu

6、lk-silicon1．OmnMGLVtechnology．Thesimulationresulttallieswiththetestresult．Keywords：AI—Gate，smalldimension,technologydevelopment玎东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材科。与我一同工作的同志对本研究所傲的任何贡献均已在论文中作了明确的

7、说明并表示了谢意．研究生签名-挚埠日期：盟基扣东南大学学位论文使用授权声明东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外，允许论文被查阅和借阅，可以公布(包括刊登)论文的全部或部分内容。论文的公布(包括刊登)授权东南大学研究生院办理。第一章绪论1．1CMOS工艺的发展1959年．利用场效应原理MOS场效应晶体管问世。后又把MOS技术用于MOS集成电路的研究，并丁1962年研制成功。MOS集