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《我国超净高纯试剂的应用与发展_徐英伟》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第3期微处理机No.32010年6月MICROPROCESSORSJun.,2010·综述与评论·我国超净高纯试剂的应用与发展徐英伟(中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032)摘要:超净高纯试剂是微电子技术发展过程中不可缺少的关键基础化工材料之一,一代微细加工技术需要一代超净高纯试剂与之配套。简要介绍了国内外微电子技术中集成电路、分立器件和液晶显示器件等制作技术的现状及发展趋势,介绍了超净高纯试剂在微电子技术发展过程中的几种主要应用及关键品种,阐述了国内外超净高纯试剂的现状及发展趋势,
2、指出了我国超净高纯试剂的技术与产业化等方面与国外存在的主要差距和主要问题,最后指出了我国近期超净高纯试剂的产业化和研发的主要方向。关键词:微电子技术;超净高纯试剂;应用;发展DOI编码:10.3969/j.issn.1002-2279.2010.03.001中图分类号:TN04文献标识码:A文章编号:1002-2279(2010)03-0001-05TheApplicationandDevelopmentofChineseUltra-cleanandHighPurityChemicalsXUYin
3、g-wei(The47thResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation,Shenyang110032,China)Abstract:Chemicalsaretheonematerialsofkeychemicals.OnegenerationmicroelectronicaltechnologyneedsonegenerationUltra-cleanandHighpuritychemicals.Inthispaper,
4、thedevelopingtrendofthemanufacturingtechnologyforintegratedcircuit,discretedeviceandliquidcrystaldisplaydeviceispresented,andalsointroducetheapplicationandthedevelopingtrendofultra-cleanandHighpuritychemicalsathomeandabroad,andtheproblemsneedstobesolv
5、ed.Atlast,thedevelopingdirec-tionofprocesschemicalsastotheneedsforthedevelopmentoftheChinesemicroelectronicalchemicaltechnology.Keywords:Microelectronics;ProcessChemicals;Application;Development出现,所需配套的电子化工材料的种类基本上没有1引言变化,依旧包括超净高纯试剂、光刻胶、电子特种气进入二十一世纪以来
6、,微电子技术的发展进入体及电子塑封材料等。这些材料质量的好坏,直接了一个全新的时代。从传统的印制线路板制作技影响着不同制作技术所形成电子产品的性能及质量术、表面组装技术、分立器件制作技术及集成电路的优劣,其中的超净高纯试剂、光刻胶和电子特种气(IC)制作技术的不断升级换代,到TFT-LCD制作体依旧是制约上述微电子微细加工技术发展的瓶技术的快速发展,特别是近年来发展速度飞快的颈。LED(包括OLED及AMOLED)制作技术和光伏技2国内外微电子微细加工技术发展现状术,无不对与之配套的电子化工材料提
7、出了全新、更高的要求。但无论这些技术的发展如何及新技术的微细加工技术主要是指实现图形转移整个过程作者简介:徐英伟(1971-),男,山东人,硕士,高级工程师,主研方向:微电子技术。收稿日期:2009-12-16·2·微处理机2010年中的处理技术,也就是将掩膜母版上的几何图形先像的线宽愈细。因此为适应集成电路线宽不断缩小转移到基片表面的光刻胶胶膜上,然后再通过从曝的要求,光刻机波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i光到蚀刻等一系列处理技术,把光刻胶膜上的图像线(365nm)→248nm→193nm
8、的方向转移,近年来甚复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理至出现了极紫外(ExtremeUltraViolet,EUV,波长仅过程。从分立器件、集成电路的制作,到TFT-为13.5nm)光刻,以相应波长为感光波长的各类光LCD、LED等的制作,其基本原理是一致的,其中尤刻胶也应运而生。以集成电路制作技术的发展更为突出,发展及升级尽管世界半导体技术已经历了半个多世纪的发换代速度更快。展历程,但现在依旧保持着强劲的发展态势,继续遵2.1国际上微电子微细加工技术发展现状循着Moor
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