04溅射沉积技术

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1、薄膜技术-4溅射沉积技术-1溅射沉积3.沉积1.离子产生2.溅射物理气相沉积（PVD）示意图主要内容气体放电与等离子体等离子体物质的溅射现象溅射沉积装置什么是等离子体？人造等离子体：等离子体电视人造等离子体：霓虹灯地球上的等离子体：极光地球上的等离子体：极光太空中等离子体：太阳宇宙99%物质为等离子体等离子体的概念和特点概念：由电离产生的正离子和电子以及中性气体分子组成的离子化气体状物质。特点整体上呈电中性良好的导电性等离子体的分类低温等离子：轻度电离的等离子体，离子温度一般远低于电子温度（eg：日

2、光灯、溅射沉积工艺）高温等离子体：高度电离的等离子体，离子温度和电子温度都很高（eg：太阳）等离子体的产生和维持等离子体的产生：气体放电：气体在电场的作用下发生电离的过程；原理：当具有一定能量的电子与气体分子碰撞过程中，将可能使得气体分子的外层电子丢失形成离子。等离子的维持：原理：等离子体中高速运动的电子与其他粒子持续碰撞。等离子体的产生和维持靶基片等离子体的产生和维持气体击穿反常辉光放电汤生放电正常辉光放电弧光放电汤生放电：气体击穿的初期，放电电压比较高，且随输入功率的增加变化很小；放电电流随输入功率的增加

3、而增加，但较小。等离子体的产生和维持气体击穿反常辉光放电汤生放电正常辉光放电弧光放电正常辉光放电：出现足够多的电子和离子使放电可自持，气体电导率较大，极板间电压下降等离子体的产生和维持气体击穿反常辉光放电汤生放电正常辉光放电弧光放电反常辉光放电：当电离度达到比较高以后，电流随功率增加变缓，但电压迅速增加。等离子体的产生和维持气体击穿反常辉光放电汤生放电正常辉光放电弧光放电弧光放电：进一步增加功率导致电弧出现，从而放电转化为弧光放电，气体电导率再次增加，极板间电压再次下降。等离子体的鞘层电子和离子的质量、速度的差

4、异使浸没在等离子体的中的悬浮电极相对于等离子体处于负电位，阴极和阳极表面的悬浮电位低于等离子体电位，从而在阴极和阳极表面形成鞘层。等离子体鞘层内，空间电荷和电势分布非均匀。本质原因是离子电子质量巨大差异等离子体的鞘层直流溅射靶材和基体表面电势分布磁控溅射中靶与基片间的等离子体鞘层主要内容气体放电与等离子体等离子体物质的溅射现象溅射沉积装置溅射物理过程能量粒子被溅射出的原子碰撞溅射过程示意图溅射：离子轰击靶材，使靶材中的原子飞溅，离开靶材的过程。离子轰击后，靶材中原子一定能飞溅出来吗？溅射物理过程eg:P5

5、8图3.8入射离子能量低：沉积（离子在靶材表面沉积）入射离子能量中：溅射（靶材原子飞溅）入射离子能量高：离子注入（离子进入靶材内部）为什么？溅射物理过程核阻止和电子阻止的能量相等总阻止本领示意图（TOTALSTOPPINGPOWER）核阻止本领在低能量下起主要作用25电子阻止本领在高能量下起主要作用溅射物理过程维持等离子体伴随离子轰击而引起的各种现象一个离子轰击后，靶材中几个原子能飞溅出来？溅射产额定义：溅射产额(S)=被溅射原子数量/入射离子数量影响因素：入射离子（能量、入射角度、种类）靶材（种类、

6、晶向、温度）溅射产额入射离子能量的影响：入射离子能量在10keV时，溅射产额最大溅射产额离子入射角度的影响：入射方向与样品法向的夹角为60o~70o时，溅射产额最大溅射产额入射离子种类的影响：溅射产额随入射原子序数的增加而周期性增加溅射产额溅：射产额靶材种类的影响：溅射产额与元素的升华热具有一定的升华联系热的倒数溅射产额靶材晶向的影响：不同的晶体取向，溅射产额不同溅射产额靶材温度的影响：靶材温度不同，溅射产额不同。溅射出原子的空间分布和能量分布如何？溅射出原子的角度分布满足欠余弦分布；与入射离子的能量有关溅射

7、出原子的能量分布大多数粒子能量集中在几个eV；与入射离子的质量和能量有关；与被溅射原子的质量有关。合金溅射和沉积和蒸发方法的区别？Cu-42%Ni合金溅射表面成分变化靶材溅射将导致合金表面的成分发生偏离，并趋于平衡成分合金溅射的成分自动补偿效应溅射产额高的物质贫化，溅射速率下降溅射产额低的物质富集，溅射速率上升，溅射出来物质成分与靶材原始成分相同。