磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备

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1、!第!"卷第#期原子能科学技术$%&’!"!(%’#!)**+年""月,-%./012345670/3203829:30;2%&%56(%<’)**+磁控溅射沉积含7-纳米晶钛膜制备宋应民"!罗顺忠)!龙兴贵)!彭述明)!安竹"!刘!宁"!庞洪超"!段艳敏"!吴兴春)!杨本福)!郑思孝"""’四川大学原子核科学技术研究所!四川成都#"**#!&)’中国工程物理研究院核物理与化学研究所!四川绵阳#)"D**#摘要!采用直流磁控溅射方法!通过分别改变衬底温度及V3分压来制备不同氦含量的钛膜%利用>X7$WL$:1E及,YE分别对钛膜中的V3含量$平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进

2、行分析%结果表明’在不同温度范围内!温度变化对所制备钛膜中V3含量的影响明显不同&V3含量与晶粒尺寸直接相关!氦原子进入钛膜后!抑制了晶粒的长大&随着钛膜中V3与:/的原子个数比由"’*]增加到""’D]!:1E测得的平均晶粒尺寸由约@B2.减小到约!2.&选择合适的V3分压!能够制备出V3含量较高的氦钛膜%关键词!磁控溅射&氦含量&氦钛膜&平均晶粒尺寸中图分类号!G!=!’!!!!文献标识码!,!!!文章编号!"***C#D@"")**+#*#C*#!!C*!<3-"&3&’$()(*7-#$5,.;8&36-0G&)(%3A:’&##$)-+$’&)$5,H$#,:4

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7、/K.0%2-32-&V3C:/O/&.&8<34853046M-8&M/Z3!!纯钛金属是迄今发现的吸氢密度最高的材面入射!出射角为)*c!散射角为"#*c%沉积膜料!常作为氚靶材料使用%金属氚化物中的氚的晶粒尺度与结构用L..8TC4,旋转阳极衰变生成@@射线衍射仪分析!所用射线源为RKCd"!"‘V3%V3原子占据金属氚化物的间隙位置!室温下!@V3原子是可迁移的!易在相*’"B!"=2.!衍射采用)#模式!掠射角固定为邻@@V3原子引起的局部位置膨胀成团%当V3)c!步长*’*)c!每步#M%同时用,YE和:1E原