电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究

电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究

ID:32466277

大小:750.08 KB

页数:75页

时间:2019-02-06

电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究_第1页
电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究_第2页
电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究_第3页
电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究_第4页
电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究_第5页
资源描述:

《电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、南京航空航天大学硕士学位论文摘要以硝酸锌和硝酸钾混合溶液为电解液,采用两电极体系在FTO基片和p-Si(100)衬底上制备了c-轴取向的ZnO薄膜。通过改变电沉积过程的各种参数,获得了具有不同形态和性能的ZnO纳米晶薄膜。研究发现,改变沉积电压和外加超声振动能够对薄膜的形貌和结构产生强烈的影响;不同沉积电压下的薄膜生长方式不同,在较低电压下,薄膜生长方式为岛状生长;随着沉积电压的升高,薄膜的生长方式由岛状变为岛状-层状相结合的方式生长;当沉积电压达到2.8V以后,薄膜按照层状方式生长。本文用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见

2、和紫外-荧光分光光度计分析了薄膜的相结构,晶粒尺寸、光学性能与发光特性。发现薄膜的(002)衍射峰随着沉积电压的增加而显著增强;从扫描电镜照片可以看出,薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构,不同样品的晶粒尺寸介于100~400nm之间。由于晶粒度大小不同,纳米晶薄膜的光学禁带宽度介于3.32~3.34eV。随着沉积电压的升高和沉积时间的延长,薄膜晶体颗粒逐渐长大,光学透过率降低。若在沉积过程中引入超声波,由于受到超声振动的抑制,薄膜晶粒的尺寸下降。若对衬底进行选择性腐蚀,使薄膜在生长初期有选择地成核,则可以制备纳米花状的ZnO纳米晶薄

3、膜,其荧光受激发光有蓝移现象。在对ZnO/Si异质结施加电压时,异质结呈现明显PN结特性;在对ZnO/Si异质结加以光照时,异质结呈现了显著的光生电流特性。关键词:ZnO,电沉积,超声波,异质结,受激发光,纳米晶薄膜,光生电流效应i电化学沉积制备ZnO纳米晶薄膜及其性能研究AbstractAtwo-electrodesystemwasemployedtofabricatec-axisorientedZnOfilmsonaFTOwaferandp-Si(100)substrateinamixedZn(NO3)2/KNO3aqueo

4、uselectrolyte.WeobtainedZnOnano-crystalinefilmswithdifferentmorphologyandcharacteristicsbyadjustingtheparametersintheelectrodepositionprocess.Itwasdiscoveredthemorphologyandstructurewerestronglyaffectedbyadjustingdepositionvoltageandapplyingultrasonicwave.Thefilmgrow

5、thmodewasdifferentatdifferentvoltage,whichisislandgrowthatlowervoltageandlayergrowthathighervoltage.Withtheincreaseofvoltage,thegrowthmodewouldundergoagradualtransitionfromislandmodetoisland-layercombinedmode,andthentolayermodelastifvoltagewashigherthan2.8V.Inthispap

6、er,X-raydiffraction,scanningelectronmicroscopy,UV-VISandUV-FLUspectroscopywereemployedtoanalyzethephasestructure,surfacemorphology,opticalabsorptionandstimulatedluminescenceproperties,respectively.Itwasfoundthatthe(002)peakintensityofXRDpatternsincreasedapparentlywit

7、htheincreaseofdepositionvoltage.Thegrainshapesweretypicallyhexagonalindifferentsampleswiththegrainsizebetween100~400nm.Theopticalbandgapofnano-crystallinefilmsisbetween3.32~3.34eV,duetodifferentgrainsizes.Thegrainsizesoffilmweregrowingupandthetransmittancewiththeincr

8、easingofdepositionvoltageandtime.Ifappliedultrasonicwavetothedepositionprocess,thegrainsizeoffilmsdecreased,becausetheinhibitoryeff

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。