《ch6存储器》PPT课件

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1、第六章半导体存储器6.1概述6.2只读存储器（ROM）6.3随机存取器（RAM）6.4存储器的应用6.1概述一、存储器的构造特点1.数目庞大与管脚有限2.分组技术3.地址译码技术4.共享通道技术二、存储器的分类从存、取功能上分只读存储器(ROM)随机存储器(RAM)SRAMDRAM从制造工艺上分双极型MOS型UVEPROME2PROM快闪存储器（FLASH）掩模ROMPROMEPROM三、存储器的主要技术指标1.存储容量：所存放信息的多少，用Bit表示2.存储时间：用读（写）周期表示6.2只读存储器ROM定义：只读存储器ROM（Read—On

2、lymemory）是存储固定信息的存储器件，即先把信息和数据写入到存储器中，在正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能读出，不能迅速写入，故称为只读存储器。特点：掉电后存储的数据不会丢失。按使用的器件的类型ROM的分类二极管ROM双极型三极管ROMMOS管ROM固定ROM：出厂时已完全固定下来，使用时无法再更改，也称掩模编程ROM。PROM：允许用户根据需要写入，但只能写一次。EPROM：允许用户根据需要写入，可以擦除后重新写入，但操作复杂、费时。EEPROM：允许用户根据需要写入，可以擦除后重新写入，操作比较简便、快捷。闪速存储器：仍是RO

3、M，兼有EPROM、EEPROM、RAM的特点，既有存储内容非丢失性，又有快速擦写和读取的特性。按数据的写入方式分ROM的用途1、存储各种程序代码；2、实现多输入、多输出逻辑函数真值表；3、代码的变换、符号和数字显示等有关数字电路及存储各种函数等。一、掩模只读存储器1、ROM的电路结构ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分输出缓冲器：既有缓冲作用，又可以提供不同的输出结构，如三态输出、OC输出等。A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端存储矩阵输出电路字线位线A1A0A1A

4、0A1A0A1A0A1A0译码器2、ROM电路的工作原理A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端假设：A1A0＝1110001100A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端1100及时归纳1当某一字线被选中时，这个字线与位线间若接有二极管，则该位线输出为1。假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端0101A1A0＝10假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端

5、0101A1A0＝01假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端0011A1A0＝00再如：与逻辑阵列或逻辑阵列字线位线ROM中的数据表地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而可以从位线上读出四位输出数字量。二、可编程只读存储器(PROM)PROM在出厂时，制作的是一个完整的二极管或三极管存储单元矩阵，相当于所有的存储单元全部存入1。在每个单元的三极管发射极上都接有快速熔丝，它是用低熔点的合金

6、或很细的多晶硅导线制成的。原理（写入过程）：1）输入地址，选中字线；2）写0的位线加高压脉冲；3）DZ导通，AW输出为0；4）熔丝烧断，写入0。三、可擦除的可编ROM(EPROM)在研制一个数字系统的过程中，用户常常希望能够按照自己的需要对ROM进行编程，这样的ROM叫做可编程PROM或EPROM。1.UVEPROM采用浮栅型MOS器件作为存储单元的一个元件，需紫外线照射才能擦除，大概需要10——30分钟，可擦除上万次。2.E2PROM同样采用浮栅工艺，但可利用一定宽度电脉冲擦除。3、快闪存储器快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的

7、优点，又保留了E2PROM用隧道效应檫除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。可读可写读写方便所存储信息会因断电而丢失用途特点常用来放一些采样值、运算的中间结果，数据暂存、缓冲和标志位等。6.3随机存取器一、静态随机存储器(SRAM)1、SRAM的结构和工作原理SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读／写控制电路三部分组成。（1）存储矩阵每个存储单元能存放一位二值信息。存储器的容量是指存储单元的数目。存储容量=存储单元的数目=行数*列数=字线数*位线数（2）地址译码一个RAM由若干字和位组成。通常信息的读出和写入是以字为单位进行的。为了区分不

8、同的字，将存放同一个字的各个存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。地址的选择是借助于地址译码器实现的。容量小的可以只用一个译码器，容量大的通常采用双译码结构，