abstract提取lef说明

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1、Abstract提取LEF详细说明以我实际项目PLL_TOP_RAD_V2为例：需要提取LEF所需要的GDS(PLL_TOP_RAD_V2.gds),gds相对应的的mapfile（hlmc55dr.layermap）,以及tf(HL55LP_HS_RVT_V1p2d.tech.lef)1.第一步，启动软件，终端窗口输入abstrct启动软件，点击菜单File->New，新建一个名为PLL_TOP_RAD_V2的库，点击“OK”完成。2.导入提取所需要的工艺LEF和gds文件。LEF导入：点击File->LEF，在

2、ImportLEF窗口中输入所需要的tech.lef文件名及正确的路径。确认View:abstract，勾选上Overwrite，点击“OK”完成导入LEF文件。如果这步有警告或者错误请务必排查出问题所在，不然后面的步骤很难顺利完成。GDS以及MAP导入：在GDSIIFilenames中输入framviewgds文件的路径及文件名。LayerMapTable一栏中输入工艺对应的map文件，点击“OK”完成。4.选中导入进来的Core中的CELL点菜单Cells->Move..,MoveSelectedCells到B

3、lock,点击OK完成。把PLL_TOP_RAD_V2单元从Core移到了Block。5.接下来的步骤进入到FLOW的流程，一步一步的完成。首先是Flow->Pin,Map一栏，详细情况如下图：在Map栏中，Maptextlabelstopins中(M3M3)说明，第一个M3指版图中我用的M3层打的pin，第二个M3就是金属三那一层，意思是我M3的pin我用的M3去打的label。（可明白？）其它工艺有可能是(M3txtM3)的表述，具体取决于你map和lvsrule里面所有定义层的pin在做LVS能够识别到的la

4、bel所打的层。因为我这个工艺只用到了M3M2M1这三层金属打label是识别pin,所以我没有M4以上的标注。Power/Groundpinnames(regularexpressions):表述IP中的的电源/地的pin的名称。Clockpinnames(regularexpressions)：表述CLOK信号Analogpinnames(regularexpressions)：表述模拟pinOutputpinnames(regularexpressions)：表述输出pin如果以上没有说明在产生的lef中（如

5、下图)的USE一项，可能不是POWER/GROUND/CLOCK/ANALOG的标识，统一是USESIGNAL，DIRECTION标识将都是INPUT。LEF中将不能区分信号的输入输出，以及功能区分，用于时钟、电源还是模拟信号。Boundary:如下图在Createboundary一栏选择“always”，该设置强制生成符合布局布线的边界。在Usinggeometryonlayers，该栏中输入作为LEF边界的层，该参数强制abstract工具产生与framview多边扩展后的等价的布局布线边界。（疑问：只能是矩形

6、?多边型的framview不能产生多边型的lef?）LEF中OBS所包含的层取决于此选项中所填写的金属层信息（通孔除外）。例子中RDL层在我gds里面没有，但是tech.tf文件有定义，Usinggeometryonlayers一栏我没有删除RDL，最终的产生的LEF文件OBS下面包含了RDL的blockage。Blocks:如图以上Map、Boundary、Blocks相应栏都设置好了，点击右下角的“RUN”运行。完全正确，会在Pins对应下面出现“√”符号表示成功。如果出现黄色的“！”表示有警告，并需要排除警告

7、再继续。警告查看：点击Cells-->Report。5.Fow-->Extract:Signal设置如下图：Power设置：如果将Signal或者Power中LayerAssignmentforPowerExtraction中的M1M2M3...删除或者M1M2M3...后面CreatePins选项去掉下面的选择，那framview中该层金属对应的所有PIN的信息将不全，以案例中的“LP_PAD”pin为例如下图：Anterna:（天线设置，目前发现没有得到天线的结果，还需要验证）General:5.Flow->A

8、bstract:SIgnalNets/Createboundarypins:就是信号线按照贴着prboundary提取出PIN，如果你做IP建议不要选，如果选择了，当你framviewgds中预留的PIN的金属宽度大于你PIN的金属深度时（如下图，pin的矩形是2.53uX0.6u），所提取出来的LEF中坐标标记只能最大按照你的金属高度(0.6u)来计算。L