Co_2_取代对NiZn铁氧体材料截止频率f_r的影响

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1、7542008年第5期(39)卷32+Co取代对NiZn铁氧体材料截止频率fr的影响1,211,21,21,2陈良,孔占兴,梁迪飞,谢建良,翁小龙(1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;2.电子科技大学隐身材料与技术教育部工程研究中心,四川成都610054)摘要:采用普通陶瓷工艺制备Ni0.25Cu0.42实验CoxZn0.35-xFe2O4(x=0.05、0.10、0.15、0.20)铁氧体2+材料。首先研究了Co离子取代对材料截止频率fr2.1原材料及样品配方

2、设计2+的影响,结果表明随着Co离子含量的增多,材料的采用普通氧化物陶瓷工艺制备铁氧体材料。以分截止频率不断升高。然后在主配方Ni0.25Cu0.4Co0.15析纯的Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、CoO、PbO为原料,配Zn0.2Fe2O4中掺入不同含量的PbO,并在不同温度烧方(化学计量式)为Ni0.25Cu0.4CoxZn0.35-xFe2O4(x=结下,考察了PbO含量和烧结温度对材料截止频率的0.05、0.10、0.15、0.20),然后在Ni0.25Cu0.4Co0.15Zn0.2

3、影响,结果发现,加入PbO使得材料的烧结温度降低,Fe2O4的基础上掺杂助熔剂PbO(1%、2%、3%(质量从而改变材料内部的微观结构,使得材料的晶粒更加分数))。细化、均匀且气孔率较低,最终制备出可应用于射频领2.2实验方法域的细晶粒宽频带NiZn铁氧体材料,得到一种相对起严格按照配方准确称料,一次球磨后将混合料烘始磁导率μi为7时截止频率fr为700MHz的低磁导干,在烧结炉中预烧850℃,然后进行二次球磨,烘干率高截止频率材料。后添加6%(质量分数)聚乙烯醇水溶液作黏合剂造关键词:NiZn铁

4、氧体;Co离子取代;PbO掺杂;截止粒,干压成外径为18mm、内径为8mm、厚度为5mm的频率标准环,最后在烧结炉中950℃烧结2h,随炉冷却得到中图分类号:TM277文献标识码:A烧结样品。在确定最佳主配方Ni0.25Cu0.4Co0.15Zn0.2文章编号:100129731(2008)0520754203Fe2O4的基础上采用相同的制作工艺在二次球磨前掺杂助熔剂PbO,并采用不同的烧结温度进行烧结。1引言烧结样品分别用XRD和SEM进行物相分析和21世纪信息技术和电子产品数字化的发展,对软形

5、貌分析。用HP4291B射频阻抗分析仪在1MHz~磁铁氧体材料和元件提出了新的要求,如器件的小型1GHz频率范围内测试样品的磁谱曲线。截止频率由[1]μ′化、片式化、高频化、高性能、高损耗等。尤其是射频/2所对应的频率确定。宽带器件的广泛应用,更加推动了射频宽带材料的发3结果与讨论展。在1MHz以上,NiZn铁氧体以其高电阻率、高Bs、高磁导率μ、低矫顽力Hc、高居里温度θf、低温度3.1Co离子取代对fr的影响系数、低损耗、良好的高频特性等优点得到了广泛的应图1给出了Ni0.25Cu0.4Cox

6、Zn0.35-xFe2O4(x=[2]用。平面六角铁氧体由于具有较高的截止频率而被0.05、0.10、0.15、0.20)样品复磁导率随频率的变化。应用于射频领域,但六角铁氧体随着温度的变化内部从图1中可以看到,随着Co离子含量的增加,Zn离子[3]结构也发生相应的变化,因此工艺稳定性不好,相应含量的减少,起始磁导率μ不断减小频率fr向高频方的NiZn系铁氧体具有很稳定的尖晶石结构,工艺稳定向移动。影响起始磁导率的主要因素包括饱和磁化强性比六角铁氧体要好。然而我们通常应用的NiZn铁度Ms、磁晶各

7、向异性常数K1、饱和磁致伸缩系数以及氧体材料其起始磁导率较高,使用频率范围一般在材料的微观结构(包括晶粒大小、完整性、均匀性、气孔100MHz以下,但目前市场上需要一种起始磁导率比率、另相等)。[4]较低、fr比较高可应用于射频领域的铁氧体材料,从图2的XRD物相鉴定和图3的SEM微观结构因此有必要制备出起始磁导率低、fr高的NiZn铁氧分析可以看出,各样品均形成了单一的尖晶石结构,无体材料,从而使得这种材料能更好的应用于射频器件,另相产生,且晶粒大小、均匀性相差无几。且能使器件的综合性能提高。3

8、基金项目:国家自然科学基金资助项目(60701016)收到初稿日期:2007208215收到修改稿日期:2008205204通讯作者:陈良作者简介:陈良(1974-),男,四川简阳人,硕士,讲师,主要从事电磁吸波材料研究。2+陈良等:Co取代对NiZn铁氧体材料截止频率fr的影响755图1Ni0.25Cu0.4CoxZn0.35-xFe2O4的磁谱图2Ni0.25Cu0.4CoxZn0.35-xFe2O4的XRD谱Fig1MagneticspectraforNi0.25Cu0.4C

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