nizn铁氧体材料及其离子掺杂改性研究

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1、Ｉｗ原４抗巧，ＵＮＩＶ巨ＲＳＩＴＹＯＦＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣｓｃＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＯＦＣＨＩＮＡｊ硕±学位论文ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＳ窜丢毛■＃１论支题目ＮｉＺｎ铁氧㈱料及其离子渗杂改性妍究学科专业材料科学与工程学号２０１１２１０：３６０１３作者烛名王哈输指导教师贾利军教授Ｉ独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加Ｗ标注和致谢的地方夕ｂ论文中不包含其他人已经

2、发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名：日期：兴辟少月２而论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定

3、）作者签名：；导师签名＿曰撕品年ｒ月７＾曰分类号密级注1UDC学位论文NiZn铁氧体材料及其离子掺杂改性研究（题名和副题名）王晗毓（作者姓名）指导教师贾利军教授电子科技大学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士学科专业材料科学与工程提交论文日期2015.03.28论文答辩日期2015.05.20学位授予单位和日期电子科技大学2015年6月30日答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。THESTUDYOFNIZNFERRITEMATERIALSANDTHEIRION-SUBSTITUTEDMATERIALSAMa

4、sterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MaterialsScienceandEngineeringAuthor:WangHan-YuAdvisor:ProfessorJiaLi-JunSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics摘要摘要在信息技术快速发展的今天，信息领域的电子元器件的需求与发展得到了前所未有的关注和提高。如何满足工业和生活中的高标准和高性能需求，成为电子器

5、件行业领域亟待解决的问题之一，电子器件性能的提高来源于两个方面，一是电子电路优化设计，二是提高电子信息基础材料的性能。所以，在电子信息材料领域方面的研究，在电路优化设计的基础上，材料性能的提升研究是解决电子器件发展问题的关键问题之一。NiZn铁氧体材料，晶体结构类型为尖晶石结构（AB2O4），在电子器件领域应用中，是电感和滤波器等电路器件的重要基础材料之一。它是一种多元复合金属氧化物高温烧结合成的化合物，在磁电子学领域一直占据着重要的位置。在NiZn铁氧体材料的应用中，从功率铁氧体功能到片式电感应用方面，NiZn铁氧体及其衍生材料发挥着巨大的作用。N

6、iZn铁氧体材料是基础材料，基础材料的性能和结构决定着后期的掺杂改性研究，所以，制备NiZn铁氧体（Ni0.5Zn0.5Fe2O4）材料。采用不同的烧结曲线烧结材料，研究材料的晶相、微观结构、磁性以及Q值等参数的变化。材料性能表征显示，当烧结温度为1050°C时，恒温保持4h，饱和磁化强度Ms达到极大值（57.4emu/g），同时材料的矫顽力出现最低值15.4Oe。随着烧结温度从950°C到1100°C，磁导率实部μ´的值也逐渐升高，同时，材料的品质因数Q值逐渐降低。结合材料内部晶体结构，第二步制备了La3+三价离子和Ga3+三价离子取代三价Fe3+

7、离子的改性研究，不同的离子取代显示出不同的性能和微结构变化，结合离子占位理论详细讨论。在此基础上，研究NiCuZn铁氧体材料和介电材料BaTiO3的复合材料性能，通过不同配比，研究NiCuZn/BaTiO3复相陶瓷的磁性和介电双性能的变化，初步制备磁-电双性的复相陶瓷材料。最后，我们研究了复合材料的低温共烧技术（LTCC）的问题，对NiCuZn-BaTiO3材料进行低温烧结，并在一定程度上改善了材料的烧结工艺和体系的性能。关键词：NiZn系列铁氧体，离子掺杂改性，磁-电材料，LTCC工艺技术IABSTRACTABSTRACTToday,withthe

8、developmentofinformationtechnology,thedemandanddevelop