GENCOA阳极层线性离子源

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时间:2019-06-03

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1、GENCOA阳极层线性离子源一、技术特点GENCOA公司产IM离子源属于阳极层离子源。其基本原理相当于一个倒置的磁控阴极,因此属于GENCOA传统技术优势能力范围内。阳极层离子源属于无栅极离子源,最大的特点在于容易实现大面积化离子源、无栅极(意味着不受栅极源的change效应限制,有更高的离子流密度和可以在反应气氛下长时间工作)、离子能量在100-1500EV较宽的范围内(主要取决于工作电压、工作气压、气体流量、阴极gap宽度等)、离子源成本相对较低、维护简单;缺点是原理决定了离子能量分布energyspread比较发散。适合做大面积镀膜

2、的清洗、表面改性和力学薄膜的辅助沉积(对于较高要求的光电薄膜的辅助沉积不是太适合)。相对于同类进口阳极层离子源其主要特点在于聚焦模式下工作电压可以低至200-250V,采用石墨阳极。二、应用范围离子束轰击的作用主要是:清洗基片表面污染物(本征氧化物等污染物、含碳氢化合物等)、增加薄膜结合力、减少基底缺陷、增加基片表面能、基片表面粗化、离子辅助沉积(致密化薄膜)。不同离子源的适用情况如下图所示:阳极层离子源的主要竞争离子源类型包括考夫曼离子源和霍尔离子源,其适用范围区别如下表所示:因此,阳极层离子源重点应用在大面积镀膜的离子清洗以及辅助沉积

3、、工具镀膜、塑料基底改性等。主要的客户群体类型是塑料基片镀膜和工具镀涂层。三、GENCOA离子源FAB分析主要相对于同类进口产品FEATUREADVANTAGEBENEFIT聚焦模式最低工作电压利于离子辅助沉积工艺低至200-250V相应的离子平均能量可以低某些薄膜工艺希望较低能量同类竞争对手产品的工作电至100-150eV离子轰击,避免高能离子轰击压大于500-1000V损伤石墨阳极减少阳极材料所造成的污染同类竞争对手多为不锈钢材更低的阳极溅射产率更大离子流密度质30分钟内更换金属阴极(不维护操作方便简单、可靠快捷阴极结构优化设计用动真

4、空密封)客户非标产品的设计制造同以标准件的价格整个流程计算机模拟样快速、成本较低享受量身定做的质量服务四、竞争对手由于阳极层离子源的技术相对比较简单,同类产品生产厂家很多。其中国外主要竞争对手包括美国AE、VEECO、APT、德国Ardenne等;国内主要有中方盖德、北京镨玛等。主要关心的技术参数包括:离子能量范围离子流密度聚焦模式最低电压聚焦模式工作气压离子源工作气压气体流量线性离子源典型型号技术参数比较:GENCOA美国AE美国VEECO美国spindrit北京镨玛尺寸cm20-300类似离子源电压100-3000V类似150to15

5、00离子能量100-1500eV100-1800eV100-1500eV100-2000eVeV聚焦模式>250V>600V?500V>500-600V工作电压离子束电流10-30mA/cm10-30mA/cm10-30mA/cm15mA/cm(聚焦模式)均匀性~±5%功率50W/cm30-100W/cm气体流量10-200sccm10-500sccm3sccm/cm2sccm/cmMax2-3sccm/cm3sccm/cm0.01to1000.05to10工作气压<10mTorr0.01to100mTorr0.1to4mTorrmTor

6、rmTorr聚焦模式最1.5mTorr2mTorr1mTorr大工作气压附:主要竞争对手特点简介一、美国AE二、美国VEECO三、德国阿登纳四、美国plasmasurfaceengineeringcorporation五、美国APT六、国内典型代表北京镨玛四、价格分析价格GENCOA出厂价Powersupplyforitem90cm2.2WGBP~32WRMB04,0-3kVDC,0-2A.100cm2.4WGBP~35WRMB配套电源7400GBP~11WRMBAE38cm4.5W刀~35-40WRMB94cm8W刀~60WRMB相应电

7、源15WRMB韩国某厂家(离子源+配套电源)38cm38WRMB北京镨玛(离子源+配套电源)60cm8.7WRMB100cm10WRMBGENCOA离子源出厂价价格约为AE同类尺寸产品销售价格的60%左右,国内产品的4-5倍左右。假如GEOCOA离子源销售价格定为出厂价的150%,其价格约为AE的90%左右。对于离子源的配套电源,由于GENCOA不自行生产,其价格优势不很明显。五、小结GENCOA离子源主要适用于大面积镀膜的离子清洗以及辅助沉积、工具镀膜、塑料基底改性等。主要的客户群体类型是塑料基片镀膜和工具镀涂层。主要技术参数和其它进口

8、阳极层层离子源一致,主要优势体现在:较低的聚焦模式工作电压、石墨阳极、较宽的工作气压范围,同时相对进口同类离子源有价格优势。但由于阳极层离子源技术相对简单,同时使用阳极层离子源的薄膜工艺多数技

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