联想LCSE初级教材-第05章内存

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1、计算机硬件基础－－－内存篇主要内容5.1概述5.2内存的类型5.3内存芯片的封装5.4内存模块与插槽5.5内存的性能5.6内存的相关知识5.1概述存储器分为内存储器与外存储器内部存储器芯片主要有四种类型：ROM有条件写入、随机读取不需要刷新断电后数据不会丢失FLASH随机写入、随机读取不需要刷新断电后数据不会丢失DRAM随机写入、随机读取需要刷新断电后数据丢失SRAM随机写入、随机读取不需要刷新断电后数据丢失我们常说的内存在狭义上是指系统主存，通常使用DRAM芯片5.2内存的类型FPMDRAMFastPageMode（快速页模式）DARM支持分页和突发访问模式的DRAM存储器

2、叫做快速页模式内存1995年及之前的大多数486和Pentium系统都使用FPM内存EDODRAMExtendedDataOut（扩展数据输出）DRAM允许下一个访问周期与前一个周期重叠，从而使每个周期大约节省10ns一般是72针的SIMM（SingleInlineMemoryModule，单内联内存模块）形式内存的工作电压通常是5V5.2内存的类型SDRAMSynchronous（同步）DRAM与主板时钟频率保持同步，有PC66、PC100和PC133等几种规范以DIMM（DualInlineMemoryModule，双内联内存模块）的形式安装在主板上内存的工作电压通常是3

3、.3VDDR-SDRAM双倍数据速率（DoubleDataRate,DDR）SDRAM是对标准SDRAM的改进设计，DDR内存并不将时钟频率加倍，而是通过在每个时钟周期里传输2次来获得加倍的性能使用184针的DIMM设计内存的工作电压通常是2.5V5.2内存的类型DDR2-SDRAM与DDR相比，最大的区别是数位预取技术的不同DDR2每次传送数据达到4bit，比DDR每次传送2bit多一倍工作电压从原来DDR的2.5V降到了1.8V内存本身集成了信号终结器通过引入“PostedCAS”功能来解决指令冲突问题加入了OCD（Off-ChipDriver）技术，以防止电压不稳定引起

4、资料丢失使用新的240针的DIMM设计5.2内存的类型RDRAM即RambusDRAM，是一种在1999年后期出现在高端PC系统里的一种内存设计，但因为市场的接受程度不高，目前已经不常见是一种窄通道设备，一次只传输16位（2个字节）数据（加上两个可选的校验位）。而DIMM是一种64位宽的设备内存总线宽度虽然不宽，但速度却很快，同时使用多个通道能将内存总线带宽进一步提高芯片安装在RIMM里。RIMM的大小和物理形状类似于当前的DIMM，但它们是不能替换的通道中未插内存模块的RIMM插槽必须插入一个连接模块以保证路径是完整的5.3内存芯片的封装DIP早期的内存芯片采用此封装封装的

5、外形呈长方形，针脚从长边引出，具有适合PCB穿孔安装，布线和操作较为方便等特点由于针脚数量少（一般为8～64针），抗干扰能力极弱体积比较“庞大”5.3内存芯片的封装SOJSmallOut-LineJ-LeadPackage小尺寸J形引脚封装引脚呈“J”形弯曲地排列在芯片底部四周SOJ封装一般应用在EDODRAM5.3内存芯片的封装TSOPⅡThinSmallOutlinePackage薄型小尺寸封装更适合高频使用，具有较强的可操作性和较高的可靠性封装厚度只有SOJ的三分之一封装的外形呈长方形，封装芯片的两侧有I/O引脚，芯片是通过引脚焊在PCB板上焊点和PCB板的接触面积较小

6、，使得芯片向PCB板传热相对困难5.3内存芯片的封装BGABallGridArrayPackage球栅阵列封装具有更小的体积，更好的散热性能和电性能每平方英寸的存储量有了很大提升具有更加快速和有效的散热途径BGA封装以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率虽然功耗增加，但采用可控塌陷芯片法焊接，可以改善电热性能寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高组装可用共面焊接，可靠性高5.3内存芯片的封装Tiny-BGA是由Kingmax推出的封装方式减少了芯片的面积，可以看成是超小型的BGA封装比起传统的封

7、装技术有三大进步：更大的容量（在电路板上可以安放更多的内存芯片）更好的电气性能（因为芯片与底板连接的路径更短，减小了电磁干扰的噪音，能适合更高的工作频率）更好的散热性能（内存芯片是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去）5.3内存芯片的封装mBGAMicroBallGridArrayPackage微型球栅阵列封装是BGA的改进版封装呈正方形，内存芯片的面积比较小内存芯片的针脚都在芯片下部，连接短、电气性能好、也不易受干扰，带来更好