资源描述：
《_125mm圆片1_mPCM参数测试技术》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第卷第期微电子技术总第01期,##!∀∃!%&∋()∗(∗(+)∃&∋(∗∋,∃)−)./0223年4月“必0566圆片0拼67∋%参数测试技术黄卫8中国华晶电子集团公司中央研究所,无锡,0195:;摘要<本文论述用于#1微米∋%)=双层多晶双层金属工艺分析及评价0。、、的7∋%技米按器件参数工艺参数和随机失效等几大类来论述7∋%设计思想设计规、,则及所需∃#>试的工艺参数的种类定义方法和浏试规范等一系列问题并对。实际浏拭中出现的问题作一些简要分析一、引言?∋%8?≅!ΑΑΒΒ∋!ΧΔ≅!∀%!ΧΕΔ!≅
2、:技术是一项用来全面监督和控制生产线工艺状况的质量监控技。、,,术它首先根据工艺水平工艺规范和监控要求设计出一些检测图形然后在工艺完成后通过编制必要的软件来控制参数测试系统,完成各种必要的参数测试,再对这些测试数据,,。进行处理和分析把结果反馈回工艺线从而完成对工艺线全面监控7∋%的设计主要从两,#一方面是工艺水平,如我们现在采用的是1微米双层多晶双层金属∋%)=方面加以考虑0。。,,工艺另一方面是工艺监控的目标有的工艺监控是为了日常工艺监控7∋%内容较少一般。有的工,,做在划片槽内艺监控是为了整个工艺线的分析和评价必须采
3、用专门的7∋%芯片插花。、,、排列在硅片上它的特点是内容比较全面细致能及时准确地获取大量与工艺和电路相关的重要数据,深入地反映工艺各方面的问题。我们这里介绍的是第二种7∋%。二、测试设备介绍,。我们现在采用的是,7公司生产的)3Φ型半导体参数测试系统其组成如图0所示它,,的中央处理器为3411∋7Γ终端为,7211系列93机型操作系统为,7公司专用操作系,。,,,统软盘数据格式也与7∋机上的软驱不同因此该系统的支持软件来源单一功能较少为数据处理和分析带来很大的麻烦,这是其最大的缺陷之一。软件语言采用,7ΦΗ=&∋#
4、1,是解释ΦΗ=&∋,故软件运行较慢。。输出设备是九针打印机和绘图仪、三器件参数测试结构Ι编辑部收稿ϑ0223日期一19一04第期黄卫ϑΧ∀Χ飞67Α%必05圆片毕参数测试技术下面我们将、7∋%的内容分为器件参数测试结构工艺参数测试结构和随机缺陷测试结。,。构三大类分别论述有的结构同时适用于几大类所以这么分类只是为了论述方便,,在7∋%中还设计有一些=∗%结构和=+7结构并针对53Κ=+Η%的工艺设计有。因为这些,,。许多工艺分析结构结构比较繁琐且针对性较强在此不一一评述终端中央处理器=Λ∋14ΦΜ∋=0∀Φ
5、Ν∋%=探针台输出设备41Η019Ο图013Φ系统框图0#标准单管、>,ϑ沟道宽度Λ二51微米长度&不同的∃沟和7沟%)=Ρ∗(各一组设计尺寸如下>,ϑ8ΛΠ&单位微米:51Π1#4Θ51Π1#251八#151Π0#18垂直方向:ϑ#51Π018增密:Θ51Π0#匹摹馨摹鑫51Π0#Θ#951Π0Θ51八#万Σ###!、Χ仁,ΑΔ51八ΘΘ51Π0区互Θ弓交及刃7∀因肠551Π03451Π#1Θ51Π9#1ϑ51Π51图增密单管结构图沟道长度&创从1#4微米到51微米变化的目的主要是为了监控短沟道效应8=
6、Υ!≅ΔςΥΩΧΝ。ΧΑΑΑΔ∀ΤΤ:对器件参数的影响两个特殊的单管#51Π0#51Π∀18垂直方向:和18增密:8如图所示:主要是监控光刻和腐蚀的负载效应对条宽的影响,以及由此引发的一系列后工序对器件参数的影响。#窄沟道单管、,,ϑϑ此类∃管7管各一组宽长比设计尺寸如下8ΛΠ−单位微米:0#3八#1Θ0#4Π0#1Θ#1八#1Θ#八#1Θ9#1八#1Θ#1Π0#1Θ0#3Π#1Θ0#4Π#1Θ#1Π#1Θ#Π#1ϑ#9#1Π1ϑ0#3八1ϑ0#4Π01Θ#1八1Θ#Π01Θ9#1八1Θ
7、#1八1Θ5#1八1Θ01八)Θ#1Π0#185个并联:Θ5#1八#1801个并联:##。此类Ω≅≅!ΞΞΕΨΔΥΑΤΤΑΑΔ1八185个设计主要是为了控制窄沟道效应8∃:并联:和5#1八#1801个并联:两种结构主要是为了更严格地对∃Ω≅≅!ΞΞΕΨΔΥΑΤΤΑΑΔ进行监控,同时4微电子技术。也用来观察工艺的稳定性和可靠性!∴≅ΑΑ=9#宽沟道单管和闭合管8ΑΧς∀!ΒΑΨΔ≅ΩΧΒΕΒΔ!≅:、7,Π−,ϑ∃管管各一组设计尺寸如下8Λ单位微ϑ米:#宽沟道ϑ55Ζ八1,55ΖΠ0#闭合管ϑ019Π1#2,01
8、9八#1,019八#,019八#5闭合管的结构如图,9所示它主要是用来监控场边缘效应8ΡΕΑ∀ΨΑΨ[ΑΑΤΤΑ∋Δ:对器件漏电性能参数的影。响对于,ϑ以上所有单管主要测量以下这些参数∀:阑值电压铸图9闭合管结构图Χ一ΑΥΩΧΧΑ∀7一ΑΥΩΧΧΑ∀&:≅ΩΕΧ#一#1&1&、∀一#∃∃Χ!∃%&
