电子电路第一章习题

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1、电子电路第一章习题课2011.3.251.1说明PN结的工作原理P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很大，在浓度差下形成扩散运动，P区的空穴（多子）向N区扩散，N区的自由电子（多子）向P区扩散，在过渡区域产生强烈的复合作用使自由电子和空穴基本消失，在过渡带中产生一个空间电荷区（耗尽区），扩散运动使过渡带内失去了电中性，产生电位差和电场，分别称为接触电位差和内建电场，内建电场由N区指向P区阻碍多子的扩散运动，却促进过渡带中少子的漂移运动，漂移运动中和过渡区中的电荷从而削弱内建电场，随着扩散运动和漂移运动的进行，最后达到一个平衡状态，即内建电场的强度

2、恰好使扩散运动和漂移运动的速度相等，这种平衡称为动态平衡，这时过渡带中的接触电位差，内建电场强度，空间电荷区宽度均处于稳定值，这时我们认为PN结已经形成，并把P、N的过渡带称为PN结，PN结的宽度为空间电荷区的宽度。1.2设二极管1.3在平面坐标中画出硅二极管（普通二极管、稳压管、变容器）的伏安特性曲线，说明在伏安特性曲线上可以定义哪些直流参数和动态参数。1.4埋层稳压管的性能特点是什么？(教材13页）1.5设定图P1.5中D1和D2的正向导通电压，画出与vi对应的输出信号电压波形。1.5Multisim步骤如图搭建电路（为更好地观测输入输出波形，将示波器的两

3、个通道分别连接输入端和输出端，并以不同颜色区分）开始仿真并双击示波器观察，可看到如下波形（注意调整示波器的设置）1.6假设图P1.6中D的正向导通电压，试画出两端的波形；求出中的直流电流分量和上的直流电压。1.7图P1.7所示为桥式整流电路，设D1～D4的正向电压，重复题1.6的分析和计算。1.8图P1.8所示为具有电容滤波的桥式整流电路，试分析并画出的波形图。1.8Multisim步骤如图搭建电路（为简化电路形式，电源直接用交流电源，电容电阻参数可以自行修改）运行后可以看到如下波形作为对比可观察去掉电容后的波形（1.7）1.9说明BJT内部载流子运动过程，写

4、出BJT内部与外部电流关系式。参阅1.3.1小节BJT内部载流子的传输过程。1.多子通过EB结注入2.载流子在基区内扩散与复合3.集电极对载流子收集iE=iC+iBiC=αiE+ICBOiB=iB1+iB2-ICBOiB1+iB2=(1-α)iE是共基BJT的直流电流增益。1.3.61.3.81.10画出NPN和PNPBJT工作在放大状态的偏置电路；画出共基和共射BJT的输入和输出特性曲线；说明截止区、饱和区和放大区的特点；在伏安特性曲线上能定义哪些直流参数？哪些交流参数？说明共射BJT的、和的物理意义。（2）共射NPN型BJT的输入和输出特性如图所示：共射输

5、入特性曲线表示集、射极间电压固定时，基极电流与基、射极间电压之间的关系共射输出特性曲线表示基极电流固定时，集电极电流与集、基极间电压之间的关系（3）共射NPN型BJT有三个区域：放大区，饱和区，截止区1、放大区特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置；，基本不受的影响。2、饱和区特点：发射结正向偏置，集电结正向偏置；管压降很小，(硅管)。受控于，已不成立，的大小由外电路参数决定。3、截止区特点：发射结、集电结均反偏；集电极电流近似为零；管压降比较高。1.11设某三极管静态工作点，试画出它的混合等效模型，并在图上标明所有模型参数。1.12设某PNP管的，画出混合

6、型交流等效电路，求。1.13画出N沟道JFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；指出电阻区和夹断区以及它们的分界线；写出转移特性方程式；定义。1.14画出N沟道耗尽型与增强型MOSFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；标明电阻区及夹断区以及它们的分界线；定义；写出它们在可变电阻区和恒流区的特性方程式。1.15已知某3DJ6（N-JFET）的漏极特性如图P1.15所示。试由漏极特性作出三种情况下的转移特性。1.16已知某P沟道JFET的参数：×，试求出时的完整小信号等效电路。1.17设PMOSFET的工艺参数：×静态工作电流试画出它的低频小信号等效电路。若时的等效电

7、路中的受控电流源。1.18试简述MOSFET的主要特性。1、电压（电场）控制特性；2、可变电阻特性；3、在夹断区（放大区）iD与vGS的平方率特性；4、在亚阀区的导电特性；5、背栅控制特性（体效应）；6、转移特性曲线的零温度系数特点；7、与BJT相似，在放大区具有沟道调制效应。1.19MOSFET的亚阀区导电特性有什么特点？与BJT作对比，在MOS管时，它们是否还有放大能力？在vBS<0下，只有vGS>VGS(th)才可能形成沟道。vBS对导电沟道也有一定的控制能力，这种现象称为体效应或衬底调制效应。VGS(th)的值改变iD的值，因而vBS对iD有控制作用，

8、B极又称为背栅。1.20解释MOSFE