硅基电容式三轴加速度传感器研究

硅基电容式三轴加速度传感器研究

ID:37486819

大小:3.57 MB

页数:55页

时间:2019-05-24

硅基电容式三轴加速度传感器研究_第1页
硅基电容式三轴加速度传感器研究_第2页
硅基电容式三轴加速度传感器研究_第3页
硅基电容式三轴加速度传感器研究_第4页
硅基电容式三轴加速度传感器研究_第5页
资源描述:

《硅基电容式三轴加速度传感器研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、合肥工业大学硕士学位论文硅基电容式三轴加速度传感器研究姓名:王守明申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:许高斌20100401硅基电容式三轴加速度传感器研究摘要与传统加速度计相比,微机械加速度计具有成本低、体积小、重量轻等优点,因而有着广泛的应用前景。本论文工作是针对一种新型三轴电容式加速度计进行研究,包括器件结构的原理、工艺制作等。论文首先介绍了加速度计的基本工作原理、动力学方程,并对其频率特性进行分析。通过对空气阻尼分析可知,在通常的微机械加速度计结构中压膜阻尼的阻尼系数要比滑膜阻尼的大得多,为了提高分辨率和线性度,设计了一种变间隙梳齿状电容式加速度

2、计。在此基础上,对各轴之间的交叉耦合进行了分析,理论上解决了多轴加速度计的横向干扰问题。使用ANSYS软件对加速度计结构进行了仿真,包括静态分析、模态分析和抗冲击分析。设计的三轴电容式加速度计施加509时,引起X、Y、Z轴向微位移和灵敏度分别为O.42um、0.4061am、O.28um和11.2pF/g、10.8pF/g、6pF/g;并通过仿真验证该加速度计能够抗50009冲击。论文阐述了主要微纳加工技术,根据设计的结构,着重研究了该梳齿电容式加速度计的体硅加工工艺流程,对加工过程中涉及到的硅各向异性腐蚀、硅.玻璃阳极键合技术以及深反应离子刻蚀技术等也进行了分析研究,

3、给出了该加速度计加工制备工艺中可能出现的关键技术问题。关键词:MEMS;电容式加速度计;梳齿:体硅加工技术IIIResearchofTri-·AxisSiliconCapacitiveAccelerationSensorAbstractComparedwiththetraditionalaccelerometers,Micro·machinedaccelerometershaveavarietyofapplicationsinmanyfieldsduetotheirlowcost,smallsizeandlightweight.Thepresentthesisiscon

4、cernedabouttheinvestigationofanovelmicro·-machinedtri·-axiscapacitiveaccelerometer,includingtheoperatingprinciple,design,fabricationprocess.Thefundamentalworkingprinciples,thekineticequationandthefrequencycharacteristicofaccelerometerareanalyzedatfirst.Throughtheanalysisontheairdamping,t

5、hedampingfactorofsqueezedfilmdampingisfoundtobemuchhigherthanthatofslide·-filmdampinginthecommonmicro··machinedaccelerometer.Inordertoincreasetheresolutionandlinearity,theauthordesignedavariablegapcomb-shapedcapacitiveaccelerometer.Accordingly,thecross—couplingbetweenthevariousaxeswerean

6、alyzedtosolvethehorizontalinterferenceforthemulti-axisaccelerometertheoretically.Thesensitivityofthetri—axiscapacitiveaccelerometerX,YZwas11.2pF儋,10.8pF/g,6pF/grespectively.Andthemicro-displacementwasO.42pm、0.406pm、O.28pm.Also,theaccelerometerWassimulatedtobecapableofresistingtheimpactof

7、anti一50009.Thispapermainlyexpoundsmicro-nanofabricationtechnologies.Thestructureisdesignedtodoresearchonrouesofthecombcapacitiveaccelerometerbulksiliconprocessflow,andalsoinvolvedintheprocessofprocessingthesiliconanisotropicetching,Silicon-glassanodicbonding,Deepreactivei

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。