等离子体刻蚀机使用说明书(台达新)

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1、中国电子科技集团公司第四十八研究所M42200-2/UM型等离子体刻蚀机用户使用说明书中国电子科技集团公司第四十八研究所2007年1月中国电子科技集团公司第四十八研究所目录1.概述·····························(1)1.1产品特点························(1)1.2主要用途及适用范围···················(1)1.3品种、规格·······················(1)1.4型号的组成及其代表意义···············

2、··(1)1.5使用环境及工作条件···················(1)2.工作原理及结构特征·····················(2)2.1总体结构························(2)2.2设备系统及工作原理··················(2)3.主要技术指标························(3)4.安装和调试··························(3)4.1安装条件························(3)4.2安装程序

3、及注意事项··················(4)4.3调试程序及注意事项··················(4)5.使用与操作··························(6)6.故障分析与排除·······················(6)7.安全保护及注意事项·····················(7)7.1安全保护························(7)7.2注意事项························(7)8.保养与维护·············

4、·············(8)9.运输、储存及开箱检查····················(8)2中国电子科技集团公司第四十八研究所1.概述本说明书提供有关等离子体刻蚀设备的安装、操作及维护的说明。用户必须按照有关说明使用。1.1产品特点M42200-2/UM型等离子体刻蚀机具有占地面积小、装片容量大、生产率高等优点。同时,还具有手动/自动功能。除装卸片要人工操作外,其余过程实现了全自动,保证了工艺的准确性和重复性,大大地提高了产品质量。1.2主要用途及适用范围该设备主要用于太阳能电池周边掺杂硅

5、的刻蚀,也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。1.3品种、规格我所研制的等离子体刻蚀机有如下规格:1)M42150-1/UM2)M42200-1/UM3)M42200-2/UM1.4型号的组成及其代表意义M42200—2/UM企业代号(中国电子科技集团公司第四十八所)设计顺序号主参数(基片最大直径200毫米)种类(等离子体刻蚀设备)型(刻蚀设备)类(表面处理和薄膜淀积设备)1.5使用环境及工作条件a)环境温度:5℃~40℃;b)相对湿度:<70%;c)环境净化等级:优于10000级;d)大气

6、压强:86kPa~106kPa;1中国电子科技集团公司第四十八研究所e)电源:三相交流380(1±10%)V,频率50(1±1%)Hz;f)所用工艺气体压力:0.1MPa~0.2MPa;压缩空气压力:0.3MPa~0.5Mpa;g)有良好的接地点,接地电阻小于4Ω。2.工作原理及结构特征2.1总体结构本设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成,见附录1——等离子体刻蚀机平面安装图。2.2设备系统及工作原理图1等离子体刻蚀机系统图反应室采用立式结构,射频功率通过电感耦合到反应室内,保

7、证周边刻蚀均匀。真空系统采用主抽和预抽两路抽气,既能保证本底抽空的时间,又能使气氛扰动减小。送气系统通断气均采用电磁阀控制,工艺气体采用质量流量计控制,可靠性高,重复性好。片架可旋转,提高了刻蚀的均匀性。在泵口有一路稀释气体,它可以延长泵的维护周期和使用寿命,在排气出口加有一路N2可使排放尾气达到排放标准。射频电源的功率采用闭环自动控制,并有阻抗匹配器可保证射频输出功率几乎完全耦合到反应2中国电子科技集团公司第四十八研究所室内。电气控制具有手动/自动控制功能,在手动状态下,可以真空检漏,不能进行工艺实

8、验。采用PLC进行工艺自动控制,可靠性高,稳定性好。各电气元器件均采用插装式,便于维修和更换。3.主要技术指标3.1刻蚀介质掺杂硅、氮化硅3.2刻蚀部位5",6"方片周边3.3装片量300片/批3.4射频电源13.56MHZ,100~1000W连续可调3.5气路系统手动、3路浮子流量计,2路质量流量计3.6抽气系统2X-15机械泵,工作压力自动控制3.7载片架旋转3.8刻蚀速率Si3N450nm/min掺杂硅200nm/min3.9批间时间25min3.

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