光固化树脂结合剂SiC晶须砂轮的研究

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1、浙江工业大学硕：I：学位论文光固化树脂结合剂SiC晶须砂轮的研究摘要SiC晶须是一种新近开发的材料，目前利用其代替传统的磨粒作为磨料制作砂轮正处在实验室的研究阶段。本文首次将SiC晶须作为磨粒制作光固化树脂结合剂砂轮。在本研究中，为了使SiC晶须保持理想的切削角度，采用了静电场的作用使晶须沿砂轮的径向排列。研究结果表明，在静电场作用下，先将晶须在液态光固化树脂中定向排列，然后通过紫外光照射固化成型，这种新的光固化树脂结合剂SiC晶须砂轮的制作方法是可行的。切割试验表明，试制的SiC晶须砂轮可以实现对

2、多种材料的加工，但由于本研究只处在起步阶段，还需要做大量的工艺试验来完成应用性研究。第一章综合论述了磨削加工领域的研究现状以及晶须状磨粒砂轮的研究进展，并在此基础上提出了本论文的研究内容及意义。第二章简要介绍了SiC晶须的发展概况、结构特性及其应用，并且综述了晶须定向排列的方法。第三章阐述了光固化树脂结合剂晶须砂轮的理论基础。第四章进行的是光固化树脂结合剂SiC品须砂轮的实验研究。其中包括对晶须砂轮固化性能的研究、SiC晶须在电场中定向排列的研究以及SiC晶须砂轮片的制作。第五章介绍了采用研制的Si

3、C晶须砂轮对不同材料的切割试验，通过对锯片的切割效果进行定性的分析，指出了存在的问题以及产生此问题的可能原因。第六章概括了全文的主要结论，并以此为基础对理论上和技术上所要做的工作进行了展望。关键词：光固化树脂，SiC晶须砂轮，辐照度，偏转率浙江丁业人学硕Jj学位论文DevelopmentofSiCWhiskerWheelApplyingLight·-curedResinasBondingMaterialABSTRACTThispapersetforthanewmethodusingSiCwhiske

4、rsinsteadofconventionalabrasivestomakewhiskerwheelusinglight-curedresinasbondingmaterial．Inthisresearch，theelectrodefieldisawaytomakeSiCwhiskeraligndirectionally．TheaimistomakeSiCwhiskerskeepabetterangleSOthatthecuttingbecomemoreeasily．Theinvestigation

5、sshowedthattheorientationofSiCwhiskersinliquidresincanbeachievedandthisnewkindoftechniqueofmakingSiCwhiskerwheelapplyinglight‘curedresinasbondingmaterialisfeasible．ThecuttingtesthadshownthattheSiCwhiskerwheelcancutsomehardandcrispmaterialssuchassilicon

6、andstainlesssteel．However，someexperimentsshouldbedonetoimplementapplicationofwhiskerwheelinthefuturebecausethisstudyisinthepreliminaryphase．Inthechapter1，thecontentsandsignificanceofthispaperwereputforwardonthebasisofthegeneraldiscussionaboutthestatusq

7、uoofgrindingfieldandthedevelopingtrendofwhiskerasgrindinggrain．Inthechapter2，thedevelopingsituation，structuralperformanceand浙江工业大学硕一I：学位论文theapplicationofSiCwhiskerwerereferred．Andthemeansofmakingwhiskeraligndirectionallywerepresented．Inthechapter3，the

8、relatedtheoriesongrindingwheelbondingwithphoto—curableresinwereintroduced．Inthechapter4，manyexperimentsweredone．ThemechanicalperformanceofSiCwhiskerwheelandthearrayofSiCwhiskersintheelectrodefieldwerestudied．Attheendofthischapter,theSiC