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时间:2019-05-16
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1、实验50线性扫描伏安法测定废水中的镉注意:自带U盘拷贝数据【实验目的】(1)学习CHI750A电化学工作站的操作使用(2)熟悉汞膜电极的制备,掌握线性扫描伏安法的基本原理(3)掌握线性扫描伏安法测定废水中痕量镉的方法。【实验原理】2+Cd在多种底液中都有良好的极谱波。本实验采用1.0mol/LHCl作底液,2+在-0.3~-0.8V进行线性电势扫描,Cd在汞膜电极上发生如下电极反应:2+-Cd+2e+Hg===Cd(Hg)E1/2=-0.67V(vs.SCE)电流峰高与浓度成正比,据此进行定量分析。由于线性扫描伏安法的电位扫描速度较快,不可逆的氧波影响不大,当被测物
2、质浓度较大时可不必除氧。实验使用CHI750A电化学工作站,它集成了多种常用的电化学测量技术,包括循环伏安法、线性扫描伏安法、阶梯扫描伏安法、差分脉冲伏安法、方波伏安法、交流伏安法、交流阻抗技术等。本实验采用线性扫描伏安法(linearsweepvoltammetry,LSV)技术。仪器软件部分具有很强的数据处理功能,包括电流峰电位、峰高和峰面积(电量)的自动测量,半微分、半积分和导数处理等。通过半微分(semi-derivative)处理,可将伏安波动半峰形转化成峰形,改善了峰形和峰分辨率。这种多组分的同时测定中是十分有用的。【仪器试剂】1.仪器CHI750A电化
3、学工作站;三电极系统;汞膜电极为工作电极,Ag/AgCl电极为参比电极,Pt为辅助电极。2.试剂2+2+汞(A.R.);2mol/LHCl溶液;0.5mg/mLCd标准溶液;样品溶液:含Cd的废水样(已含1.0mol/LHCl)【实验步骤】1.汞膜电极的制备1)将金盘电极(直径1mm)在金相砂纸上打磨、抛光,使露出金表面。2)抛光后的金电极在二次水中超声波清洗5min。3)将清洗干净的金电极端面浸入储汞瓶的汞中30秒后,柔和搅动金电极,取出,即可见金盘电极的端面上蘸涂了一层汞膜。4)将该蘸汞电极置于空白底液中,在-0.30~-0.80V电位范围内循环扫描5周,浸泡在
4、二次水中备用。2.准备一次打开计算机、电化学工作站主机的电源。将工作电极、参比电极和辅助电极连线与电化学检测池的对应电极正确连接。电化学工作站预热10min。双击Windows桌面上的“CHI750电化学工作站”图标。出现“电化学工作站”界面后,使之运行最大化。参数的设置通过依次点击菜单栏项目完成,具体为SetupTechnique….LinearSweepVoltammetryOK表示选中“线性扫描伏安法”实验技术。再点击“Setup”菜单栏和“Parameters”,进入实验参数选择表,参数选择如下:InitE(V)(-0.30)起始电位FinalE(V)(-0
5、.80)终止电位ScanRate(V/s)(0.05)扫描速率SamplingInterval(V)(0.001)采样宽度Quiettime(Sec)(30)静止时间Sensitivity(5.0e-006)灵敏度点击“OK”,此时软件部分设置完毕,准备进行样品测试工作。3.测量(1)取6个50mL容量瓶,用吸量管分别准确加入0、2mL、4mL、6mL、82+mLCd标准溶液,再于各瓶中加入25mL2mol/LHCl溶液,用水稀释至刻度,摇匀。(2)溶液由稀至浓倒入电解池中进行测定。点击“电化学工作站”工具栏上的“Run”图标,电位扫描过程开始。扫描结束后,点击工具
6、栏中的“DataPlot”图标,这时将自动给出伏安峰的“Ep-峰电流”等数据。每个样品溶液测三次,取其平均值作为峰电流数据。点击“Saveas”图标将伏安图保存在指定的目录下。点击“Convolution”-Semi-derivative进行伏安数据的半微分处理,记录峰高。(3)测定未知液(未知液已含HCl支持电解质,可直接倾入电解池进行测定。)【注意事项】(1)溶液要新鲜配制,贮汞瓶(称量瓶)中汞要纯净,并用超纯水水封。(2)操作时要注意保护汞膜电极。若汞膜层损坏,则伏安没波波形会变差(表现为半峰宽变宽或无峰),这时汞膜电极需重新处理和准备。(3)为更好地消除汞膜
7、电极的记忆效应,在测试废水样品前,先做空白实验。(4)仪器使用完毕后,将参比电极和辅助电极用蒸馏水冲洗并和滤纸拭干,带好保护帽。将汞膜电极用蒸馏水冲洗后保存于一个盛少量蒸馏水的烧杯中(端面浸入水面下),留下次实验待用。如汞膜电极长期不用,则在细金相砂纸上(洒少量硫磺粉)打磨电极表面除去汞,清洗后保存。【数据处理】2+(1)将实验数据记录在下表中。以电流峰高为纵坐标,Cd标准溶液的浓度为横坐标,绘制工作曲线。通过统计软件(Origin或Excel)求出线性回归方程和相关系数。3.02.5电流峰高线性回归)2.0A1.51e-6(1.0电流0.50.00.000.0
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