多能级闪存的辐射效应研究

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1、复旦大学硕士学位论文多能级闪存的辐射效应研究姓名：孟宣华申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：肖斐20030425摘要多能级闪存是近年来出现的一种理想存储介质，兼顾了EPROM密度高以及EzPROM易进行电操作的优点，广泛应用于计算机等领域。自从9．11事件以来，为了确保安全，机场和邮局均开始使用辐射系统进行安全质检，已有报道称这些辐射会对数码相机、手提电脑等半导体产品里面的存储介质产生损害，造成存储介质上数据的丢失。研究这些存储介质的辐射效应，对其进行辐射加固，显得刻不容缓。本文丰要研究了Y射线和x射线辐射对多能级闪存的阈值电压变化及其分布、特性曲线、漏电流等的影响，并研

2、究了辐射后的多能级闪存在不同温度下的退火效应。就辐射和退火对多能级闪存产生的各种变化给予了合理的解释。Y射线和x射线辐射都会对多能级闪存的性能造成影响。“00”、“01”、“10”三种：状态的阈值电压随着剂量的增加而下降，而“1l”状态的阈值电压在小剂量辐射后上升，剂量足够大时下降，当剂量足够大时，所有状态的阂值电压趋于相同。退火对多能级闪存的性能有一定的恢复作用，高温退火效果好于低温，高剂量辐射后的退火要好于低剂量辐射后的退火。关键词：多能级闪存，辐射效应，Y射线辐射，x射线辐射，浮栅AbstractMulti—levelflashmemoryhasrecentlyemergeda

3、sallidealstoragemediumwhichcombinesthedensityofEPROMwithelectricalerasabilityofE‘PROM，andnOWiSwidelyusedinapplicationssuchascomputersystems．etc．However,sincethe9．1lattackinUS．airportsandpostalservicebegantousepowerfulirradiationsystemsoutofsecurityconsideration．ItiSreportedthatallthesewillirrev

4、ocablydamageflashmemory,causinglOSSofdataandrenderingthecardsinoperable．Therefore，itiSurgenttoinvestigatetheirradiationeffectsonelectronicdevices．Inthispaper,Multi-levelflashmemoriesexposingtObothYrayandX—rayirradiationarestudied．TheimpactsofirradiationOnthedevice’Sparametersareinvestigated，inc

5、ludingthethresholdvoltageshiftsanditsdistributioninablock，characteristiccarveandleakagecurrent，etc．Besides，theannealingeffeetatdi髓renttemperaturesiSalSOstudied．Areasonableexplanationabouttheeffectsofirradiationandamlealonthemulti—levelflashmemoriesiSgiven．BotllgammarayandX—myirradiationshaveani

6、mpactontheperformanceofmulti—levelflashmemories．Withthedoseincreasingforbo也rays、theVTdecreasesforstateof“00”．“01”and“10”．whileincreasesatlOWdoseanddecreasesathighenoughdosefor“1r’state．WhenthetotaIdoseiShighenough，alltheVThasatendencytoaconstantvalue．TheauneaIprocesshasareboundeffecttotheperfor

7、manceofmulti-levelflashmemory．Thehighertemperaturerecoversmorethanthelowertemperature．ThehighertotaldosealSOhasabetterrebounde恐ct也allthe10werdose．Keywords：multi—levelflashmemory，irradiationeffects，gammarayirradiation，Xrayirradiati