Bi,2O,3-ZnO-Nb,2O,5基陶瓷介电性能研究

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1、西华大学硕士学位论文Bi203．ZnO．Nb205基陶瓷介电性能研究材料学研究生张红霞指导教师丁士华摘要Bi2(Znl／3Nb2／3)207(13．BZN)是一种单斜焦绿石结构的介电材料，具有较低的烧结温度和优良的介电性能等特点，而成为一种很有发展前途的低温烧结微波介质材料，但其介电性能、损耗机理还有待进一步研究。本论文采用固相反应法制备Bi2(Znl／3Nb2／3)207陶瓷，研究A位、B位、A、B位离子同时替代产生的氧空位对B-BZN结构及介电性能的影响，尤其是对介电弛豫现象的影响，并在此基础上，对焦绿石的结构变

2、化及改性机理作了理论上的分析。(1)A位Nd、Dy、Er替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，Y、Li替代的陶瓷样品烧结温度为960℃，gr=70"-90、tan8=6．3x10‘4～6．8x10一、％=186～359ppm；A位Li的替代使样品介电损耗弛豫峰峰值温度随着替代量由0．025增加到O．1向高温方向移动，同时伴随峰形宽化。(2)B位Zr、Ti替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，B位Sn替代的陶瓷样品烧结温度为1020℃，￡r=70～90、tan8=8．1x10。4～2．9×10之、0【。=-240～448p

3、pm；B位Sn的替代使样品介电常数弛豫峰峰值温度随着替代量由O．1增加到O．16向低温方向移动。(3)A、B位Y、Sn共同替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，Li、Sn共同替代的陶瓷样品烧结温度为960℃，v岬=74-90、tan8=7．7x10。3～2．3x10～、％=117～377ppm；A、B位Li、Sn共同替代使样品介电损耗弛豫峰峰值温度随西华大学硕士学位论文着替代量增加向高温方向移动。关键词：Bi2(Znl／3Nb2／3)207陶瓷，替代，烧结温度，相结构，介电性能II西华大学硕士学位论文Dielectri

4、cpropertiesofBi203--ZnO--Nb20ssystemCeramlCMajorin：MaterialsciencePostgraduateZhangHong—xiaSupervisorProf．DingShi-huaAbstractBi2(7．nl／3Nb2／3)207(13-BZN)materalsisthemonoclinicpyrochlores乜mcturehavebeenpaidmoreandmoreattractionforlowsinteringtemperatureandgooddi

5、electricproperty．However,theirdielectricpropertyanddielectricmechanismshouldalsobereserached．themonoclinicpyrochloremicrowaveceramicswerepreparedbytraditionalsolid甑龉ereaction，TheeffectofA—site、B—siteand(A、B)-sitesubstitutionondielectricpropertiesofBZNceramicswa

6、sinvestigated．TheeffectofoxygenvacanciesondielectricpropertiesofBZNceramics、thephasetransitionandmechanismofmodificationwerestudied．(1)ThesinteringtemperatureofNd3+、De+、F+substitutingforBi3+inA-siteofBi2(Znl／3Nb2／3)207ceramicsis1000"C，ThesinteringtemperatureofY

7、”、Li十substitutingforBi3+inA．siteofBi2(Znl／3Nb2／3)207ceramicsis960"C．Thedielectricpropertiesare：gr=70～90、tan8=6．3x10‘4-6．8x10一、ae=186--359ppm；thepeakofdielectriclossesrelaxationofLisubstitutedsamplemovedtowardshigh-temperaturewitlltheincreasingofsubstitutedconte

8、nt(舶mO．025toO．1)．(2)ThesinteringtemperatureofZr'+、Ti'+substitutingforNb5+inB—siteofBi2(Znl／3Nb2／3)207ceramicsisI000*C，ThesinteringtemperatureofSn4十substitutingforNb5+inB．sit