硅基光接收集成宽带放大器设计

硅基光接收集成宽带放大器设计

ID:36663589

大小:1.24 MB

页数:60页

时间:2019-05-13

硅基光接收集成宽带放大器设计_第1页
硅基光接收集成宽带放大器设计_第2页
硅基光接收集成宽带放大器设计_第3页
硅基光接收集成宽带放大器设计_第4页
硅基光接收集成宽带放大器设计_第5页
资源描述:

《硅基光接收集成宽带放大器设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、湖南大学硕士学位论文硅基光接收集成宽带放大器设计姓名:王镇道申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:陈迪平2002.3.1摘要唑Sl4288介绍了限制宽带放大器频带宽度的因素,通过分析MOSFET的本征参数、寄生参数对频率特性的影响,提出了采用短沟器件、使MOsFET工作在饱和区、抬高栅源电压等提高MOSFET特征频率的方法;分析了不同电路组态对放大器频率特性的影响、节点电压对电压模电路、电流模电路频率特性的不同影响,根据应用于双极晶体管电路的跨导线性原理,提出了采用MOSFET构成的电流模放大

2、电路、电流传输电路、输出电路以及由它们所组成的宽带放大器,获得了良好的频率响应。该宽带放大器具有很好的应用前景和广阔的市场空间。关键词:宽带放大器带宽电流放大器频率特性AbstractThefactorslimitingthefiequencybandofthewide—bandamplifierarein订oduced.Throu曲analyzingthee髓ctsofmein仃i11sicpar锄etefsa11dparaSiticalont11e丘.equencycharacteristics,amem

3、odofimproVing^ofMOsFETbyusingshonch锄eldeviceandmakingMOSFETWorkatt11esaturationregiont11rou曲rajs堍‰isputfonvard;111ee氐ctSofdi鼠rentkindsofcirc试tco瓶gurationsonthe矗equencycharacteriSticsandt11ejunctionV01tageonmeVoItagepattemcircuit,currentpattemcircuita11d丘equ

4、encycharacteristicsarea11alyzed.AccordillgtomeI血ear也eoryof缸msconductaIlcewIlichisappliedint11eB,rcircllit,mec叫empattemampli丘ercircuit,current廿a11sferclrcuitandoutputcircuitw11ichconsistofMOSFETaIldthe、vide-balld锄pli丘ercomposedofthemareputfoⅣ,ard.Andgood丘eq、

5、lel∞y他sp日nseisobtained.E)(tendedapplicationsa11dhugemarketarepmmised.Keywords:Wide.balld锄pIifierBalldWidmCu玎entarllplifierFrequencychamcteristics摘要信息时代的到来给网络传输提供了更广阔的市场和发展动力,同时也提出了更高的性能要求。“最后一公罩“问题的解决,』目户终端数掘传输速度的提高迫切需要+种低成本,性能高的集成宽带放大器。而传统的双极型运算放大器的带宽一般最多为

6、几十MHz,根本不能满足用户对宽带视频、多媒体等业务的需求。而限制其带宽的原因可以分为两方面:1器件结构2电路形式。根据低成本的要求以及当前集成I乜路的发展趋势,采用标准CM0sI。艺来设计集成宽带放大器。1.器件结构M0sFET的结电容将影响节点的电压变化率,从而降低放大器的带宽。通过对M0sFET的本征电容、寄7E电容的分析,得到了减小结电容的方法:1使MOsFET:I:作在饱和区,此时C。,等r零。这将有利于’提高频率响应和稳定性。2.根据C。==c。耽知,在不3改变阡/的情况下,应尽量减小w·L,即采

7、用最小面I/L1;:}{晶体管。根据MOSFET的本征电容、寄生电容,并考虑到制造过程tI一形成的栅源覆盖电容c0栅漏覆.h电容(0,源一衬底PN结电导‰等得到MOSFET的小信号模型,在此基础上进而考虑到沟道电阻对c。。和c。,的允放电的影响及信弓在沟道中的传输延迟对MOsFET频率特’降的影响得到其分伽模型。根折:分和模型得到MOsFET的戡【t频率为:1‘,,厂=÷二等(‰一Ij)6丌L从m缁剑改普MosFET频率响应的途伟:1提高载流F的迁移率从,因此在信号通道中宜采用NMOs;2提高MOsFET的【

8、:作点,即iLMOSFET工作在大电流:队念。3尽可能减小沟道长度,即采用短沟器件。采用s0I技术将有助于改善器件的频率响应和其它性能。2,电路形式电路形式对电路的频率响应存在较大影响。通过对共源、共栅组态的频率响应分析可知:共栅组态对应较小的密恸电容而有较好的频率响应,具有电流传输特性。同时采用负反馈和零点极点对消技术也将改善电路的频率响应。零点极点对消技术是通过在电路中应入零点来抵消电路的另一个

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。