DDR测试及失效案例分享

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1、1Agenda•DRAM的测试方法和测试项目•DRAM失效案例分享2015/9/10-2-InternalUseOnly2DRAM的测试方法和测试项目3内存测试法•内存厂了解记忆细胞排列结构,地址排列,漏电路径…...测试主要可分为-对记忆细胞单元透过特定背景数据排列,地址线(rowaddress),地址线(columnaddress)测试顺序,搭配内部电压调整进行不同漏电路径测试.-透过测试模式(testmode)调整内部讯号timing增加讯号的容限度-JEDEC定义功能及参数(AC/DC)测试-仿真系统开发randomaccess测试方式4晶圆测试

2、流程工厂晶圆产出针测卡高温(90℃)缺陷侦测&高温性能测试工作电压边缘测试(Advantest5377)(记录修补单元)低温(-10℃)缺陷侦测&工作电压边缘测试低温性能测试(记录修补单元)&电容修补电容修补程序记忆单元修餔&修补后验证(Advantest5377)验证修补位置及有效性测试晶圆产出5晶圆测试重点介绍晶圆测试项目介绍:测试站点Test项目分类内容简述利用高温高工作电压测试条件，进行WaferBurn-in，将制程可靠性风险之早夭不良品测试缺线提早筛选。电容续航力测试测试高温WaferBurn-in后电容续航力，剔除不良品。内部电压优化透过设

3、计预留fuse,调整芯片电压至设计要求目标利用电容数组不同的排列方式及调整内部电压方式，侦测有漏电流的不电容漏电流测试良品，常见的有棋盘状排列。高温功能测试电容保持能力测试利用static/dynamicpause及电容数组不同的排列方式来测试电容保持能力。利用字符线的频繁开关测试，来检测是否有制程缺陷在相邻字符线及相字符线开关测试邻位线中。缩短或调整电容数据传送到数据线之有效时间，将有前级数据传送问题数据传送测试之芯片刷出。译码电路测试利用字符线与位线跳跃测试，将字符线或位线有译码问题的芯片刷出。电流测试测试动态及静态电流值检测制程缺陷造成的漏电电容储

4、存能力测试利用低温储存时间延长特性筛选电阻性漏电缺陷低温功能测试电容写入测试利用低温电子energy特性筛选数据写入困难cell放大器测试利用低温组件速度快特性调整内部放大器timing,侦测cell讯号不良品。6记忆单元常用测试背景数据介绍CapacitorleakageWLtoBLleakageWLtocellleakageJunctionleakageChannelleakageGIDLBLtoBLLeakage7记忆单元常用测试背景数据介绍WLtoWLleakageCelltocellleakage830nm晶粒測試(FinalTest)商規工規

5、與車規測試機型晶粒封裝AssemblyAssembly可靠性測試TDBITDBIBIOvenBurn-inTest(高溫)高低溫長時間功能測試AX1AX1SmartOven低溫功能測試FT2T5581/85高溫功能測試FT3T5581/85速度篩選及產能測試FT4FT4T5593/VerigyShippingShipping9晶粒测试HighTempHighTemp.High/LowTemp.oo(95oC)(129oC)(-10C~88C)Speed30nmBurn-intestperformanceAssemblyDC/ACCommercialNAN

6、/Afunctionaltest1.25V~1.65V(DDR3)1.5V~1.8V1.35V~1.65V533MHz5MHz~800MHz67MHzSmartTestingstage:AssemblyTDBIFT2FT3FT4OvenLowTemp.HighTemp.HighTempHighTemp.High/LowTemp.(-50oC)(105oC)o(110C)30nm(129oC)(-10oC~88oC)IndustrialDC/ACDC/ACSpeedBurn-intestDC/ACAssemblyfunctionaltestfunction

7、altestperformancefunctionaltestAutomotive1.35V~1.65V1.35V~1.65V1.25V~1.65V(DDR3)1.5V~1.8V1.35V~1.65V133MHz133MHz533MHz5MHz67MHz~160MHz~160MHz~800MHzThemajordifferenceofcommercial&AutomotivegradeBEtest:Testtemperature:Automotivegrade-50℃~110℃vscommercialgrade-10℃~95℃Additionalhi

8、gh/lowtempfunctionteststage(FT2/FT3)toin